Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода

Температурная зависимость прямой ветви ВАХ, согласно (1), определяется изменениями I0 и φТ.

Влияние этих температурозависимых параметров приводит к тому, что ВАХ смещается в область меньших напряжений.

Принято оценивать влияние

температуры на ВАХ

p-n-перехода, определяя изменение напряжения

при постоянном токе.

Для определения этого изменения вводится параметр, называемый температурным коэффициентом напряжения (ТКН), который характеризует сдвиг ВАХ по оси напряжений.
ТКН имеет отрицательный знак, что свидетельствует об уменьшении напряжения на p-n-переходе с ростом температуры при постоянном токе.

Для p-n-переходов из кремния ТКН достигает - 3 мВ/град.

ТКН = - ∆Uпр/∆Т [мВ/град

Контакты и переходы в полупроводниках

Контакты и переходы могут быть организованы различными средствами и способами.

Электрический переход – это граничный слой между двумя областями вещества, физические свойства которых существенно различны.

p-n-переход – это электронно-дырочный переход

p-p+, n-n+ - электронно-электронный переход;

p-pi, n-ni – переход между электронным и собственным

полупроводником;

М-p, М-n – переход металл-полупроводник

М-p+-p-, М-n+-n – переход металл - обогащённый полупроводник – полупроводник

n+ – обогащенный полупроводник по отношению к n-

- гетеропереходы

где ε₃₁ и ε₃₂ – материалы с различной шириной запрещённой зоны.

Российский академик Ж.Алферов за разработки в области гетеропереходов получил Нобелевскую премию.

Современные сверхбыстродействующие структуры работают именно на этом эффекте.