Включение p-n-перехода в обратном направлении

Включим внешнее напряжение U (+) к n-области. При этом увеличивается высота потенциального барьера на величину U

что приведёт к уменьшению диффузионной составляющей тока через p-n-переход

Поле p-n-перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от высоты потенциального барьера.

Через переход потечёт ток неосновных носителей.

Ток дырок из n-области в p-слой и электронов из
p-слоя в n-слой.

Ток неосновных носителей через p-n-переход называется обратным.

Внешнее напряжение при таком подключении далее будем называть обратным и обозначать Uобр. Используется так же термин «обратное смещение
p-n-перехода».

Обратный ток называют ещё тепловым током, т.к. он очень сильно зависит от температуры p-n-перехода.

Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении называется экстракцией.

В связи с тем, что прямой ток много больше обратного тока Iпр >> Iобр можно говорить об однонаправленной проводимости p-n-перехода

При обратном включении p-n-перехода суммарная напряжённость электрического поля возрастает.

Поэтому возрастает заряд электрического слоя, а также ширина перехода l0. Причём возрастает в основном за счёт n-слоя.

Таким образом

Идеализированный p-n-переход обладает свойством изменять электропроводность при подключении внешнего напряжения разной полярности.

При U>0 переход включен в прямом направлении и ток возрастает

При U<0 переход включен в обратном направлении и течёт незначительный ток, слабо зависящий от U, но сильно зависящий от температуры.