Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Параметры полупроводников




Читайте также:
  1. Абсолютные и относительные параметры дохода. Источники информации о доходах и расходах населения.
  2. Адгезия механических частиц на поверхность полупроводниковых пластин
  3. Будьте внимательны! При удалении проекта из Doxcell-Portal автоматически удаляются все связанные с ним параметры. В случае ошибочного удаления восстановить их будет невозможно.
  4. Визуальные эргономические параметры ВДТ и пределы их измерений
  5. Внимание. Параметры рекламного сообщения
  6. Внимание. Параметры рекламного сообщения
  7. Внимание. Параметры рекламного сообщения
  8. Внимание. Параметры рекламы
  9. Временные параметры сетевых моделей
  10. Геометрические параметры конического зубчатого колеса

Одним из основных параметров полупроводника является подвижность носителей заряда μ. Подвижность носителей – их средняя направленная скорость в полупроводнике при напряжённости электрического поля Е=1 В/см.

Подвижность электронов μn всегда больше подвижности дырок μp. Это объясняется большей инерционностью дырок (соответствующей инерционности валентного электрона), чем свободных электронов. Наибольшая подвижность наблюдается у электронов в арсениде галлия.

Чем больше μ, тем выше скорость движения носителей и тем выше быстродействие полупроводникового прибора. Отсюда становится ясным преимущество высокочастотных элементов, изготовленных из электронного арсенида галлия.

Подвижность носителей заряда связана с другим параметром полупроводника – коэффициентом диффузии D следующим соотношением:

где φт =kТ/q – тепловой потенциал, который при комнатной температуре

приближённо равен 26 мВ;

k – постоянная Больцмана;

q – заряд электрона.

Коэффициенты диффузии, так же как и подвижности, имеют разные значения

для электронов и дырок, причём Dn >Dp.

 

Ещё одним важным параметром полупроводника является время жизни τ Временем жизни носителя заряда называется время от его генерации до рекомбинации, которое во многом определяет длительность переходных процессов в некоторых полупроводниковых приборах.

В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами: диффузией и дрейфом.

Диффузией называется направленное перемещение носителей зарядов, вследствие неравномерности их концентрации, т.е. перемещение под действием изменения концентраций носителей.

Дрейфом называется направленное перемещение носителей заряда под действием электрического поля.

Электропроводность полупроводника отражена в уравнении непрерывности

2. Электронно – дырочный переход (p-n-переход)

В большинстве полупроводниковых приборах используются монокристаллы полупроводника с двумя и более участками (слоями) с различным типом проводимости (р- и n-).

В таких структурах обычно концентрация примесей существенно различна Nа >> ND или Nа << ND.

Слой, имеющий более высокую концентрацию носителей, имеет более высокую электропроводность.



В полупроводнике р-типа присутствует в равном количестве подвижные дырки заряженные положительно и неподвижные отрицательные ионы, обозначенные на рисунке

В полупроводнике n-типа также имеются подвижные электроны с отрицательным зарядом и неподвижные ионы

Структуру с повышенной концентрацией носителей принято обозначать символом p+, n-

 

Область p-n-перехода


Дата добавления: 2014-12-23; просмотров: 16; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2020 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты