![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Способы нанесения ФР1. Центрифугирование – жидкий ФР растекается под действием центробежных сил. Характерный дефект – краевое утолщение. 2. Распыление – позволяет получать широкий интервал толщины слоев, причем подложка может иметь неплоскую поверхность. Фоторезист наносится из пневматического распылителя. Параметры слоя зависят от давления и температуры воздуха, расстояния от сопла до подложки, вязкости резиста и концентрации сухого продукта, типа растворителя. Расход ФР при распылении можно уменьшить примерно в 10 раз, а дефектность слоя (вследствие отсутствия напряжений) в 3...4 раза по сравнению с пленками, получаемыми центрифугированием. Отсутствие краевого утолщения делает метод распыления особенно эффективным при нанесении фотослоя на прямоугольные подложки. 3. Электростатическое нанесение ФР диспергируется с помощью форсунки либо само электрическое поле дробит жидкость на мелкие капли диаметром примерно 10 мкм. Заряженные капли ускоряются полем и осаждаются на подложку. 4. Полив или окунание - наиболее простой способ нанесения покрытия, когда обрабатываемую подложку погружают в ФР и выводят из него с регулируемой скоростью. 5. Валиковый способ. Сушка. В результате этой операции происходит окончательное формирование слоя ФР и удаление растворителя. При этом в пленке ФР происходят сложные релаксационные процессы, уплотняющие молекулярную структуру слоя, уменьшающие внутренние напряжения и повышающие адгезию слоя к подложке. Неполное удаление растворителя из слоя снижает его кислотостойкость: при экспонировании молекулы растворителя экранируют нижележащий слой и после проявления, например, позитивного ФР возникают дефекты в виде нерастворенных микрообластей. При сушке должна обеспечиваться непрерывная диффузия растворителя к поверхности слоя и его испарение с поверхности. Уплотнение структуры должно происходить в направлении от пластины к поверхности слоя, полностью вытесняя растворитель из ФР. Градиент температуры должен быть направлен от поверхности слоя к пластине. При проведении сушки опасны перепады температур и слишком быстрый нагрев. Максимальную температуру сушки выбирают для конкретного типа ФР, исходя из констант термолиза светочувствительных молекул; при превышении этой температуры изображение не проявляется или для его проявления требуется большее время, в результате чего растет плотность дефектов и падает точность передачи размеров элементов. При конвективной сушке, осуществляемой в термостатах при невысоких температурах (363...373 К), на поверхности ФР преждевременно образуется сухой слой. Дальнейшее удаление растворителя становится возможным лишь в результате разрыва этого слоя, что увеличивает плотность дефектов. Образование поверхностного сухого слоя можно затормозить, если приготовить ФР на основе смеси растворителей с различной летучестью. В зависимости от состава и толщины фотослоя при конвективной сушке требуется выдержка в течение 10...60 мин. При инфракрасной сушке источником теплоты является полупроводниковая пластина, поглощающая ИК-излучение, тогда как окружающая среда (очищенный и осушенный инертный газ или воздух) сохраняет примерно комнатную температуру благодаря непрерывной продувке. Так как «фронт сушки» перемешается от пластины к поверхности слоя, качество сушки существенно повышается, а время сокращается до 5...15 мин. При СВЧ- сушке нагрев пластин осуществляется в процессе поглощения электромагнитной энергии СВЧ-поля. Мощность печей 200...400 Вт, рабочая частота 2,45 ГГц, время сушки — несколько секунд.
|