КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Электрические цепи, в которых одна часть сопротивлений соединена последовательно, а другая параллельно, называются цепями со смешанным соединением сопротивлений.
Общих расчетных формул для таких цепей нет, так как число их разновидностей не ограничено. Чаще всего расчет подобных схем начинается с определения эквивалентного сопротивления всей цепи, а затем определяются величины токов и падение напряжения на отдельных участках. Для определения эквивалентного сопротивления цепи со смешанным соединением потребителей, питающихся от одного источника тока, необходимо прежде всего разбить эту цепь на отдельные участки, состоящие из последовательного и параллельно соединенных сопротивлений. Далее определяют эквивалентные сопротивления для каждого из участков, а затем и для всей цепи в целом. Рассмотрим метод решения задач на смешанное соединение сопротивлений на конкретном примере.
На рисунке представлена схема смешанного соединения сопротивлений. Ее можно разбить на три участка: участок АВ – с двумя параллельно соединенными ветвями; участок ВС – с последовательно соединенными сопротивлениями; участок СD – с тремя параллельными ветвями. Кроме того, нижняя ветвь участка АВ представляет в свою очередь цепь, состоящую из двух последовательно соединенных сопротивлений R2 и R3.
Теперь можно определить токи в параллельных ветвях участков АВ и СD
Остается определить величину токов, протекающих через сопротивления R7 и R8. Для этого надо сначала определить падение напряжения на сопротивлениях R7 и R8. Определим падение напряжения на сопротивлении R9:
Падение напряжения на сопротивлении R7,8 определится как разность UCD и U:
Теперь определим величины токов, протекающих через сопротивления R7 и R8:
Величина тока. протекающего через сопротивления R4 и R5, равна I – току в неразветвленном участке цепи. Итак, при решении задач на смешанное соединение сопротивлений необходимо, постепенно упрощая схему, определить эквивалентное сопротивление всей цепи, а затем. восстанавливая постепенно реальную схему. вычислить падение напряжения и токи в отдельных ветвях.
23 вопрос Под действием тока вокруг проводника образуется свое магнитное поле рис.1. При взаимодействии магнитного поля магнита и поля, созданного током, образуется результирующее магнитное поле, изображенное на рис.2. Следовательно, на проводник будет действовать сила, большая справа и меньшая слева. Под действием большей силы проводник будет перемещаться по направлению силы F. Перемена направления тока в проводнике изменит направление магнитных линий вокруг него, вследствие чего изменится и направление перемещения проводника. Для определения направления движения проводника в магнитном поле можно пользоваться правилом левой руки, которое формулируется следующим образом: Если расположить левую руку так, чтобы магнитные линии пронизывали ладонь, а вытянутые четыре пальца указывали направление тока в проводнике, то отогнутый большой палец укажет направление движения проводника. Сила, действующая на проводник с током в магнитном поле, зависит как от тока в проводнике, так и от интенсивности магнитного поля.
О магнитной индукции можно судить по силе действия магнитного поля на проводник с током, помещенный в это поле. Если на проводник длиной 1 м и с током 1 А, расположенный перпендикулярно магнитным линиям в равномерном магнитном поле, действует сила в 1 Н(ньютон), то магнитная индукция такого поля равна 1 Тл (тесла). Магнитная индукция является векторной величиной, ее направление совпадает с направлением магнитных линий, причем в каждой точке поля вектор магнитной индукции направлен по касательной к магнитной линии. Сила F, действующая на проводник с током в магнитном поле, пропорциональна магнитной индукции В, току в проводнике I и длине проводника l, т. е. Эта формула верна лишь в том случае, когда проводник с током расположен перпендикулярно магнитным линиям равномерного магнитного поля.
24 вопрос Основным назначением любого двигателя является сообщение (передача) механической энергии рабочим органам производственных механизмов, необходимой им для совершения определенных технологических операций. Эту механическую энергию электродвигатель вырабатывает за счет электрической энергии, потребляемой им из электрической сети, к которой он подсоединен. Другими словами, электродвигатель преобразует электрическую энергию в механическую.
25 вопрос Магнитный поток, создаваемый током какого-либо витка при отсутствии намагничивающих сред (например, в воздухе), пропорционален величине тока: где L — коэффициент пропорциональности, называемый индуктивностью. Единица измерения индуктивности — генри (гн): 1гн =103 миллигенри (мгн) == 106 микрогенри (мкгн). Индуктивность катушек зависит от числа витков, размера и формы катушек. Цепями с большой индуктивностью являются обмотки генераторов, электродвигателей, трансформаторов, индукционных катушек и т. п. Значительно меньшей индуктивностью обладают прямолинейные проводники. Короткие прямолинейные проводники, нити ламп накаливания, спирали электронагревательных приборов практически не обладают индуктивностью. На практике часто встречаются случаи, когда нужно изготовить катушку, не обладающую индуктивностью (добавочные сопротивления к электроизмерительным приборам, сопротивление штепсельных реостатов и т. п.). В этом случае применяют бифилярную намотку катушки (рис. 101). Для этого проволоку перед намоткой сгибают вдвое и в таком виде навивают ее. Магнитный поток и индуктивность катушки с бифилярной намоткой равны нулю. Пусть мы имеем контур, состоящий из одного витка. В этом случае величина э. д. с. самоиндукции будет
Если ток в контуре изменился на Д/, то магнитный поток изменится на величину ΔФ: Величина э. д. с. самоиндукции, которая возникнет в контуре, будет Последнее выражение показывает, что величина э. д. с. самоиндукции зависит от индуктивности контура и скорости изменения тока в контуре. Заменив буквенные выражения единичными величинами, получим Отсюда можно дать определение единицы индуктивности —• генри: индуктивностью в 1 генри обладает электрическая цепь, в которой при скорости изменения тока на 1 ампер в 1 секунду возникает э. д. с. самоиндукции, равная 1 вольту. Отдельные витки катушки в общем случае могут пронизываться различными магнитными потоками, поэтому общая э. д. с. катушки будет равна сумме э. д. с. отдельных витков: Сумма магнитных потоков, сцепленных со всеми витками катушки, называется потокосцеплением и обозначается буквой ψ: Поэтому выражение индуктивности катушки, состоящей из т витков, в отличие от индуктивности контура с ω = 1 будет: Определим индуктивность кольцевой катушки. Выше нами было найдено выражение для магнитного потока кольцевой катушки:
Так как магнитный поток такой катушки сцеплен со всеми витками, то
откуда С достаточной для практики точностью ту же самую формулу можно применять индуктивности цилиндрической катушки (соленойда).
26 вопрос Представим себе два параллельных проводника аб и вг , расположенных на близком расстоянии один от другого. Проводник аб подключен к зажимам батареи Б; цепь включается ключомК, при замыкании которого по проводнику проходит ток в направлении от а к б. К концам же проводника вг присоединен чувствительный амперметрА, по отклонению стрелки которого судят о наличии тока в этом проводнике. Если в собранной таким образом схеме замкнуть ключ К, то в момент замыкания цепи стрелка амперметра отклонится, свидетельствуя о наличии тока в проводникевг; Размыкание ключа К опять вызовет кратковременное отклонение стрелки амперметра, но уже в другую сторону, что будет указывать на возникновение тока противоположного направления. Приближение проводника аб к вг вызовет отклонение стрелки амперметра в ту же сорону, что и при замыкании ключа К, удаление проводника аб от проводника вг повлечет за собой отклонение стрелки амперметра, аналогичное отклонению при размыкании ключа К. При неподвижных проводниках и замкнутом ключе К ток в проводнике вг можно вызвать изменением величины тока в проводнике аб. Так, например, на рисунке схематически изображена катушка (соленоид) из изолированной проволоки, к концам которой подключен амперметр А. Если внутрь обмотки быстро ввести постоянный магнит (или электромагнит), то в момент его введения стрелка амперметра Аотклонится; при выведении магнита будет также наблюдаться отклонение стрелки амперметра, но в другую сторону. Электрические токи, возникающие при подобных обстоятельствах, называются индукционными, а причина, вызывающая появление индукционных токов, электродвижущей силой индукции. Эта эдс возникает в проводниках под действием изменяющихся магнитных полей, Если правую руку расположить ладонью к северному полюсу так, чтобы большой отогнутый палец показывал направление движения проводника, то четыре пальца будут указывать направление эдс индукции. Эдс индукции имеет всегда такое направление, что созданный ею индукционный ток препятствует причине, ее вызывающей. Величина эдс индукции, возникающей в замкнутом проводнике, пропорциональна скорости изменения магнитного потока, пронизывающего контур этого проводника. Таким образом, если магнитный поток, пронизывающий контур замкнутого проводника, уменьшился на величину Ф в течение t секунд, то скорость уменьшения магнитного потока равна Ф/t. Это отношение и представляет собой величину эдс индукции е, т. е. Возникновение эдс индукции в замкнутом контуре происходит как при движении этого контура в магнитном поле, так и при изменении магнитного потока, пронизывающего неподвижный контур. Произведение числа витков и магнитного потока, пронизывающих их, называется потокосцеплением =Ф, следовательно, индуктированная в катушке эдс Эта формула, выражающая закон электромагнитной индукции, является исходной для определения эдс, индуктируемых в обмотках электротехнических машин и аппаратов. Допустим, что прямоугольный замкнутый контур абвг, стороны которого равны l и h, находится в магнитном поле, магнитная индукция которого во всех точках равна Пусть контур, оставаясь в плоскости рисунка, перемещается с равномерной скоростью сверху вниз и в течение t с выходит за пределы магнитного поля. Замкнутый контур, перемещающийся в магнитном поле Так как контур абвг перемещается вниз, то магнитный.поток, пронизывающий контур, уменьшается. Следовательно, направление эдс индукции совпадает с вращательным движением рукоятки буравчика, ввинчиваемого вдоль магнитных линий, т. е. по часовой стрелке. Величина этой эдс индукции определится из следующих соображений. Следовательно, Е=Ф/t =Ф/tилиE=Blh/t. Частное от деления пути h, пройденного проводником, на время t представляет собой скорость движения этого проводника. Обозначив ее буквой v, получим E=Blv. Если в этой формуле магнитная индукция В выражена в теслах, длина l — в метрах и скоростьv— в метрах на секунду (м/с), то эдс индукции выражается в вольтах. Эта формула справедлива лишь в том случае, если проводник перемещается в магнитном поле в направлении, перпендикулярном магнитным силовым линиям этого поля.
ЭЛЕКТРОНИКА 1 вопрос ЭЛЕКТРОНЫ В АТОМЕ. ЭЛЕКТРОНЫ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ Все вещества по электрофизическим свойствам делятся на три больших класса: металлы, диэлектрики, полупроводники. У металлов удельное электрическое сопротивление ρ находится в пределах 10-6 — 10-4Ом·см (например, для серебра при комнатной температуре ρ=1,58·10-6Ом·см, для сплава нихром ρ=1,05·10-4Ом·см). Вещества с удельным сопротивлением более 1010Ом·см являются диэлектриками (например, при 200°С для слюды в зависимости от ее состава ρ=1013 — 1016Ом·см, для стекла ρ=108 — 1015Ом·см). Удельное сопротивление хороших изоляторов превышает 1016Ом·см. Вещества с удельным сопротивлением от 10-4 до 1010Ом·см были отнесены к полупроводникам (например, удельное сопротивление германия при комнатной температуре лежит в пределах от 10-4 до 47Ом·см, а кремния - от 10-4 до 25·105Ом·см). Полупроводники плохо проводят электричество, их нельзя использовать для соединительных проводов и кабелей, но в то же время они создают слишком большие утечки, препятствующие их использованию для изготовления линейных изоляторов и установочной арматуры, и очень широко применяются в полупроводниковой электронике (диоды, транзисторы, термисторы, фотоэлементы и т.д.). Хотя различие в электрических свойствах веществ было известно очень давно, только квантовая механика смогла объяснить, почему свойства материалов оказываются настолько различными. Действительно, все твердые тела состоят из положительно заряженных атомных ядер и окружающих их электронов, причем число электронов на атом в изоляторе может быть даже больше, чем в металле. Расстояния между ближайшими атомами и в изоляторах и в проводниках также примерно одинаковы. Например, в кристалле меди расстояние между ближайшими атомами d = 2,56 А, а в алмазе - 1,54 А. В то же время электропроводность меди более чем на 20 порядков превышает электропроводность алмаза. Почему же многие вещества являются изоляторами? Причиной этого является, то, что в твердом теле, так же как и в отдельном атоме, электроны не могут иметь произвольную энергию. Электроны в изолированном атоме, как показывает квантовая теория, могут находиться в определенных состояниях движения, могут иметь строго определенные значения энергии (рис.1). Атомы различных элементов отличаются своими системами энергетических уровней, т.е. энергетическими спектрами. Энергетический спектр атома состоит из серий линий, разделенных запрещенными промежутками. Энергии дозволенных состояний движения изображаются горизонтальными прямыми на вертикальной шкале энергий. Если говорят, что электрон находится на таком-то уровне, то подразумевают, что электрон находится в атоме в определенном состоянии движения, изображаемом на шкале энергии этим уровнем. Электроны, расположенные ближе к ядру, характеризуются меньшей энергией в атоме по сравнению с более удаленными. В соответствии с их состояниями электроны распределяются по определенным оболочкам вокруг ядра. Обычно распределение электронов по уровням в атоме таково, что атом обладает минимальной (из всех возможных значений) энергией, т.е. электроны стремятся расположиться на более близких от ядра оболочках. Электроны, находящееся на полностью заполненных в соответствии с принципом Паули электронных оболочках, связаны с ядром атома особенно прочно. Они называются внутренними электронами. Электроны внешней (как правило, частично заполненной) оболочки называются валентными. Распределение электронов по энергиям в атоме натрия (в периодической системе Д.И. Менделеева порядковый номер 11) показано на рис.1: два электрона находятся в состоянии с наименьшей энергией - на уровне 1s (1-я электронная оболочка), восемь электронов располагаются на уровнях 2s и 2p (2-я электронная оболочка), один электрон - на уровне 3s (3-я электронная оболочка), т.е. у атома натрия 10 внутренних электронов и один валентный электрон. Атом кремния Si имеет 14 электронов, германия Gе - 32 электрона, которые распределены по состояниям следующим образом: Si(14) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 Ge(32) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 4p2. У этих атомов последняя (верхняя) оболочка заполнена частично, на ней находится по четыре валентных электрона, имеющих наибольшую энергию. Именно они и определяют электропроводность кремния и германия. Дискретность уровней отчетливо проявляется на спектрах разреженных газов, которые состоят из отдельных узких линий, при этом каждый газ имеет свой специфический спектр. В нормальном (невозбужденном) состоянии атома электроны должны располагаться на самых низких (наиболее выгодных) энергетических уровнях. В невозбужденном состоянии атом находится до тех пор, пока какие-либо внешние воздействия (тепло, свет, электрическое поле, удары частиц и другие причины) не сообщат ему добавочную энергию. При передаче добавочной анергии атому какой-нибудь из электронов может перейти на более высокий разрешенный энергетический уровень при оставшемся свободном более низком уровне, на котором он находился до этого. Такое состояние атома называется возбужденным. В этом состоянии атом и связанный с ним электрон находятся в течение малого промежутка времени, а затем самопроизвольно переходят в состояние с меньшей энергией. При этом электрон возвращается на незаполненный нижний уровень, высвобождая обычно в виде электромагнитного излучения энергию, затраченную ранее на возбуждение. Излучение квантов с частотой видимого света наблюдается, например, в работающих светодиодах, электронно-лучевых, газоразрядных и других приборах. При сообщении очень большой энергии электрон может оторваться от атома и стать свободным, т.е. электрон может перемещаться независимо от атома с любой скоростью и обладать любой энергией. Процесс отрыва и удаления одного или нескольких электронов от атома или молекулы называется ионизацией. При этом атом или молекула, потерявшие один или несколько электронов, становятся положительными ионами. В определенных условиях нейтральный атом или молекула могут захватить лишний электрон и превратиться в отрицательный ион. Процесс перехода иона к нейтральному состоянию путем присоединения недостающего электрона или потери лишнего называется деионизацией. В твердом теле соседние атомы настолько близки друг с другом, что их внешние оболочки соприкасаются и даже перекрываются. В этом случае на электроны действует не только ядро собственного атома, но и ядра соседних атомов. Притягивая электрон, ядра будут ослаблять связь его в атоме, в результате чего изменяется характер движения электронов. Это приводит к изменению энергетического спектра электронов: к смещению уровней и к расщеплению их в энергетическую зону. Вместо узких уровней отдельного атома в твердом теле образуются широкие энергетические зоны, число уровней в которых равно числу атомов в данном твердом теле. Порядок расположения уровней на энергетической диаграмме твердого тела может не соответствовать порядку расположения энергетических уровней в атоме. В твердом теле электроны перераспределяются в соответствии с принципом Паули, т.е. все нижние уровни энергетического спектра заняты. Рассмотрим процесс образования металла натрия. При сближении N атомов до расстояний d , равных междуатомным (d0≈10-8 см), из-за взаимодействия с соседними атомами уровни расщепляются, образуются зоны разрешенных значений энергий, между которыми находятся запрещенные зоны (рис.2). Для кристалла с междуатомным расстоянием d0 получается зонная энергетическая диаграмма (рис.2,а), где по оси X отложена координата электрона
в кристалле. В идеальном кристалле электрон не может иметь энергию, соответствующую запрещенной зоне. Для глубоких уровней расщепление невелико, так как находящиеся на них внутренние электроны сильнее связаны с ядром собственного атома и экранируются внешними оболочками (электронами), т.е. практически не взаимодействуют с соседними атомами. На валентные электроны, более удаленные от ядра и слабее с ним связанные, влияние соседних атомов будет значительным, так как в твердых телах расстояние между соседними атомами d0 имеет тот же порядок, что и размеры электронных оболочек. Для внешних валентных оболочек расщепление может составлять несколько электронвольт. При абсолютном нуле температуры электроны заполняют самые нижние энергетические уровни, где их энергия минимальна. Согласно принципу Паули максимальное число электронов, которые могут находиться на данном уровне, ограничено. Поэтому электроны заполняют несколько нижних зон. Верхняя из полностью заполненных электронами разрешенных зон, при абсолютном нуле температуры занятая валентными электронами, называется валентной, а следующая за ней незаполненная - зоной проводимости. В зоне энергетических уровней натрия, которая образовалась при расщеплении уровня 3s, на каждом уровне могут располагаться по два электрона, поэтому N валентных электронов в кристалле будут находиться в нижней половине этой зоны по два на каждом уровне - это и есть валентная зона. К ней примыкает (это характерно для металлов) незаполненная при абсолютном нуле температуры зона разрешенных энергетических уровней - зона проводимости. Для возникновения тока необходимо упорядоченное движение электронов. Силы поля должны ускорять электроны, движущиеся в одном направлении, и замедлять электроны, движущиеся в обратном направлении. Но ускорение или замедление электронов сопровождается неизбежно изменением их энергий, т.е. переходом с одних уровней на другие. Электропроводность в твердом теле возможна лишь тогда, когда возможен переход электрона на другой энергетический уровень. Это означает, что в проводимости могут участвовать электроны только тех зон, где есть свободные уровни, а при температуре абсолютного нуля они имеются лишь в самой верхней разрешенной зоне - зоне проводимости. Так как в процессах электропроводности и в химических реакциях принимают участие валентные электроны, то в дальнейшем при рассмотрении твердых тел зоны энергетических уровней, занятые внутренними электронами, приниматься во внимание не будут (внутренние электроны сильно связаны с ядром и не влияют на проводимость кристалла). Электропроводность твердых тел зависит от взаимного расположения зоны проводимости и валентной зоны. Именно по характеру энергетических диаграмм твердые тела более четко разделяются на проводники (металлы), полупроводники и диэлектрики (изоляторы) (рис.3). В металлах зона проводимости и валентная зона перекрываются, электроны валентной зоны могут легко переходить в зону проводимости независимо от температуры тела. В зоне проводимости электроны принадлежат всему твердому телу и свободно внутри него перемещаются. Проводящее состояние в металле является обычным. Число электронов проводимости во всех металлах имеет порядок 1022в 1см3 и не зависит от температуры, в то время как величина электрического сопротивления различных металлов изменяется в десятки раз и зависит от температуры. Удельное сопротивление металла , (1) где σ- удельная электропроводность; е- заряд электрона; μn-подвижность электронов. Подвижность электронов μn -коэффициент пропорциональности между скоростью упорядоченного движения электронов и напряженностью электрического поля (численно равна той средней упорядоченной скорости, с которой движутся электроны в данном теле при напряженности поля, равной 1 В/см). Так как во всех металлах число свободных электронов примерно одинаково, то величина сопротивления определяется главным образом значением подвижности электронов, которая, в свою очередь, зависит от строения кристаллической структуры металла, её упорядоченности. Подвижность уменьшается при возрастании температуры (увеличиваются тепловые колебания решетки), увеличении содержания примесей, нарушающих упорядоченность кристаллической решетки (больше торможений электронов). Поэтому сопротивление металлов возрастает при увеличении температуры, а сопротивление сплавов всегда больше сопротивления металлов, из которых он составлен. В диэлектриках и полупроводниках между валентной зоной и зоной проводимости есть область значений энергий, которыми не могут обладать электроны в кристалле (запрещённая зона). Минимальное расстояние между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны называют шириной запрещенной зоны (ΔW). Ширина запрещенной зоны ΔW - один из важнейших параметров материала, определяющий его электрические свойства (указывается в электронвольтах). Чем больше число оболочек в атоме, тем меньше ширина запрещенной зоны, тем слабее валентные электроны связаны с ядром. В отличие от металлов при нулевой температуре у изоляторов и полупроводников зона проводимости пуста, электропроводность отсутствует. В диэлектрике и при обычных условиях электроны практически не попадают в зону проводимости, поэтому такое вещество не проводит электрического тока и обладает большим сопротивлением. Плотность электронов проводимости в хороших диэлектриках при комнатной температуре на 1 см3 составляет всего 1-100 электронов против 1022 в проводниках, поэтому сопротивление диэлектриков в 1022—1023 раз выше сопротивления металла. Сопротивление диэлектрика зависит от ширины запрещенной зоны и температуры. Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше число тепловых возбуждений (больше забросов из валентной зоны в зону проводимости) и меньше сопротивление диэлектрика. Изоляционные свойства диэлектрика ухудшаются при возрастании температуры. Полупроводники по величине удельной электропроводности занимают промежуточное положение между проводниками и изоляторами и имеют обширную область значений. Их удельная проводимость сильно зависит от температуры и концентрации примесей, а во многих случаях и от различных внешних воздействий (света, электрического поля и т.д.). Для производства полупроводниковых приборов необходимы материалы с определенной величиной ширины запрещенной зоны ΔW, чтобы обеспечить электропроводность в заданном диапазоне рабочих температур прибора. ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники - наиболее распространенная в природе группа веществ. К ним относят химические элементы: бор (В), углерод (С), кремний (Si), фосфор (Р), сера (S), германий (Ge), мышьяк (As), селен (Se), олово (Sn), сурьма (Sb), теллур (Те), йод (I); химические соединения типа АI ВVII, АIII ВV, АIV ВIV, AI BVI, AII BVI (GaAs, GeSi, CuO, PbS, InSb и другие); большинство природных химических соединений - минералов, число которых составляет около двух тысяч; многие органические вещества. Наиболее подходящими для производства полупроводниковых приборов считаются германий и кремний. Бор, фосфор, мышьяк, сурьма, индий, галлий, алюминий используются в качестве примесей. Германий встречается в сернистых минералах, некоторых силикатах и карбонатах, а также в каменных углях и богатых углем породах. Содержание германия в земной коре — 7·10-4 %. Для полупроводниковых приборов необходим германий, почти не содержащий примесей других элементов. На 108 его атомов лишь один может быть чужеродным, но и то не любым, а принадлежащим к группе определенных "легирующих" элементов (чаще всего Sb, As, Ga, In). Поэтому производство германия представляет известную сложность. Кремний - наиболее распространенный (после кислорода) элемент, но в чистом виде он не встречается. Давно известным соединением является его двуокись SiO2. Твердая земная кора содержит по массе 27,6% Si и состоит более чем на 97% из природных силикатов, т.е. солей кремниевых кислот, а также двуокиси кремния SiO2 преимущественно в виде кварца. Для производства полупроводниковых приборов необходим также очень чистый кремний. Получение чистых кристаллов кремния еще более сложно, чем кристаллов германия. Кремний имеет высокую температуру плавления (около 1500ºС) и в расплавленном состоянии очень высокую химическую активность. Это повышает технологические трудности получения чистых кристаллов и легирования их нужными примесями. Поэтому чистый кремний, как и германий, довольно дорогой элемент. При комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении ширина запрещенной зоны германия Ge достаточной степени чистоты равна 0,67 эВ, кремния Si - 1,12 эB, арсенида галлия GaAs - 1,43 эВ, антимонида индия InSb - 0,18 эВ. Кремний и германий представляют собой кристаллы с регулярной структурой. Кристаллическая решетка кремния и германия называется тетраэдрической, или решёткой типа алмаза (рис.4).
2 вопрос Электронно-дырочный переход
Электронно-дырочный переход (p — n-переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р-области Э.-д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из p -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Однако после ухода дырок в p-области остаются отрицательно заряженные акцепторные атомы, а после ухода электронов в n-области — положительно заряженные донорные атомы. Т. к. акцепторные и донорные атомы неподвижны, то в области Э.-л. п. образуется двойной слой пространственного заряда — отрицательные заряды в р-области и положительные заряды в n -области (рис. 1). Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через Э.-д. п.; в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения полный ток через Э.-д. п. равен нулю. Т. о., в Э.-д. п. существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течёт к Э.-д. п. и проходит через него под действием контактного поля, а равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через Э.-д. п. в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта. Внешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Если положит. потенциал приложен к р-области, то внешнее поле направлено против контактного, т. е. потенциальный барьер понижается (прямое смещение). В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Концентрация неосновных носителей по обе стороны Э.-д. п.
|