![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Дискретные фазовращатели на коммутационных диодах
1) разность фаз входных коэффициентов отражения в двух состояниях диода должна быть равна заданному дискрету фазы: ∆φ=|φ2-φ1|; 2) модули коэффициентов отражения (р' и р") в двух состояниях диодов должны быть равны между собой и как можно меньше отличаться от единицы — это так называемая оптимизации фазовращателя по потерям. Омические потери в отражательном фазовращателе принято оценивать вносимым ослаблением, L=l/p2. Анализ показывает, что при равенстве модулей коэффициентов отражения р' = р" вносимое ослабление оказывается равным
Один из коммутационных элементов с низким сопротивлением (r<<1) “закорачивает” линию передачи, а остальные коммутационные элементы имеют высокие сопротивления (Кr>>1) и не оказывают влияния на фазу коэффициента отражения. При переключении коммутационных элементов изменяется положение плоскости короткого замыкания в линии передачи и фазы коэффициента отражения. Проходные фазовращателидолжны обеспечивать заданную разность фаз коэффициентов передачи ∆φ=|φ2-φ1| в двух состояниях при условии согласования входов и при минимальном вносимом ослаблении мощности.
Изменение фазы коэффициента передачи на ∆φ=β(l2-l1) происходит в результате изменения пути прохождения колебаний — по отрезку l2 или по отрезку l1—осуществляемого диодными выключателями. Анализ показывает, что вносимое ослабление в таком фазовращателе при использовании диодов с параметром качества К>100 мало зависит от величины ∆φ, примерно одинаково в каждом фазовом состоянии и определяется выражением L=l/|s21|2≈ 1 + 4/
|