Погрешность измерения

Технические устройства контроля в оборудовании электронной промышленности

Введение

Дифракция медленных электронов

Эксперимент Дэвиссона и Джермера

Чего не объясняет волновая теория

1.3. Рассеяние медленных электронов: вторичная электронная эмиссия

Волновые свойства микрочастиц. Дифракция электронов

2. Метод ЭСХА

Основные принципы метода ЭСХА.

Фотоэффект в методе ЭСХА и в рентгеновской абсорбционной спектроскопии.

Оже электроны и рентгеновские кванты.

Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом ЭСХА.

Модификация диаграммы уровней, связанная с наличием двойных слоев и электрических полей.

Собственные ширины уровней и расстояния между ними.

Исследование поверхности методом ЭСХА.

3. Метод Оже спектроскопии.

3.1. Физические основы метода Оже-электронной спектроскопии

3.2. Аппаратура и методика измерений Оже-спектра

3.3. Методика подготовки образцов

3.4. Качественный и количественный анализ

3.4.1 Методика эксперимента

3.4.2 Описание экспериментальной установки

3.4.3 Растровая оже-электронная спектроскопия

3.4.4 Применение оже-спектроскопии

4. Вторично-ионная масс-спектрометрия

Взаимодействие ионов с веществом

Вторично-ионная эмиссия

Оборудование ВИМС.

Принцип действия установок.

Порог чувствительности

Анализ следов элементов

Ионное изображение

Требования к первичному ионному пучку

Масс-спектрометрический анализ нейтральных распыленных частиц

Количественный анализ

4.6. Глубинные профили концентрации элементов

Приборные факторы, влияющие на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации

Влияние ионно-матричных эффектов на разрешение по глубине при измерении профилей концентрации

Применения МСВИ

Исследование поверхности

Глубинные профили концентрации

Распределение частиц по поверхности, микроанализ и объемный анализ

Инфракрасная Фурье-спектрометрия

Принцип метода

Диапазон измеряемых значений толщины эпитаксиального слоя

Погрешность измерения

6.Эллипсометрия.

6.1 Эллипсометрический метод измерения толщины пленок.

7. Инфракрасная интерференция

7.1. Физические основы метода

7.2. Выбор спектрального диапазона и требования к

параметрам подложки

7.3. Диапазон измеряемых толщин

7.4. Интерференция в видимой области спектра

7.5. Инфракрасная фурье-спектрометрия

7.6. Принцип метода

7.7. Диапазон измеряемых значений толщины эпитаксиального слоя

7.8. Погрешность измерения

7.9. Измерение отклонения от плоскостности и контроль

рельефа поверхности полупроводниковых пластин и структур

7.10. Отклонение от плоскостности и методы его измерения

7.11. Аппаратура для измерений отклонений от плоскостности

7.12. Погрешность измерения отклонения от плоскостности

7.12. Аппаратура для контроля рельефа полупроводниковых пластин

и структур

Введение

В учебном пособии излагаются физические принципы различных методов анализа электронного строения атомов, молекул, твердых тел. Эти методы были разработаны в физических лабораториях, занимающихся фундаментальными исследованиями, и в настоящее время широко применяются при разработке и контроле технологических процессов микроэлектроники. Некоторые устройства, основанные на методах анализа состояния поверхности, встраиваются непосредственно в технологическое оборудование и осуществляют контроль параметров полупроводниковых структур in situ. Изучение этих методов и особенностей их практической реализации будет способствовать их внедрению в разрабатываемое специалистами технологическое и научное оборудование.