Схема с ОЭ

Рисунок 3.15– Статические ВАХ БТ в схеме о ОЭ: а – входная; б – выходная

Вид входной характеристики не отличается от ВАХ прямосмещенного p-n перехода.

На входной ВАХ (рис.3.15, а) действие отрицательной обратной связи, вызванное эффектом Эрли, проявляется в смещении характеристик в сторону больших значений при увеличении обратного смещения на коллекторном переходе (см. подразд.3.5.2).

Дифференциальное входное сопротивление определим из физической эквивалентной схемы БТ с ОЭ на низкой частоте (рис.3.16). Полагаем, что коэффициент передачи тока базы на НЧ .

.

(3.34)

Следовательно, дифференциальное входное сопротивление БТ в схеме с ОЭ в больше, чем с ОБ.

Рисунок 3.16– Физическая эквивалентная схема БТ с ОЭ на низкой частоте

Все области работы БТ в схеме с ОЭ: I – насыщение, II – активной нормальной работы, III – отсечки – располагаются в одном квадранте.

Выражая из уравнений (3.19) для токов эмиттера и коллектора по модели Эберса-Молла величины напряжений на эмиттерном и коллекторном переходах, зная, что , , и полагая, что , для получим

(3.35)

Следовательно, область насыщения в отличие от схемы с ОБ лежит в том же квадранте, что и две другие области.

В реальном транзисторе область насыщения занимает несколько больший диапазон напряжений , чем тот, что выводится из модели Эберса-Молла. Необходимо учитывать падение напряжения в квазинейтральной области коллектора . На рис.3.15, б прирост напряжения на транзисторе в режиме насыщения с учетом обозначен штриховой линией. Как уже было показано в подразделе 3.5.2, выходное дифференциальное сопротивление в схеме с ОЭ в раз меньше, чем в схеме с ОБ:

.

(3.36)