![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Распределение потоков носителей в реальной одномерной модели БТ в активном нормальном режимеВ реальной модели БТ, не учитывающей эффекты, связанные с двух- и трехмерностью, необходимо учитывать эффекты, происходящие в OПЗ эмиттерного и коллекторного переходов. На рис.3.8показаны токи, протекающие в р-n-р-транзисторе в активном нормальном режиме его работы. В р-n-р-транзисторе направление токов эмиттера и коллектора совпадает с движением носителей (дырок), которые в основном образуют эти токи. Для n-р-n-транзистора направления токов изменятся на обратные, а в обозначениях токов изменится индексация (например, Поскольку ток эмиттера является суммарным током БТ, рассмотрим (см. рис.3.8) его составляющие, определяя также их отношение к токам двух других электродов. Ток Рисунок 3.8– Токи, протекающие в р-n-р-транзисторе в активном нормальном режиме При прохождении через базу часть дырок будет рекомбинировать на поверхности и в объеме базы, увеличивая ток базы на величину
и ток коллектора
|