Общие сведения

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и генерации электромагнитных колебаний. Он включает в себя два p-nперехода: эмитерный и коллекторный, и три полупроводниковых области: эмитер, база и коллектор. Термин «биполярный» означает то, что токоперенос в этом типе транзистора осуществляется двумя типами свободных носителей заряда: основными и неосновными.

Слово "биполярные", определяющее класс транзисторов, обусловлено биполярной проводимостью, осуществляющейся в транзисторах этого типа.

Биполярный транзистор представляет собой три полупроводниковые области (эмиттер, база, коллектор), определяющиеся по типу электропроводности (n-р-n или p-n-р), которые с помощью имеющихся в каждой области омических контактов подключаются к внешней электрической схеме. Функции эмиттера и коллектора определены самими названиями этих областей: эмиттировать (инжектировать) носители заряда и собиратьих.

Среднюю область транзистора назвали "базой" исторически, т.к. первый транзистор был создан вплавлением в базу (германий p-типа) двух полупроводниковых навесок n-типа электропроводности. В зависимости от типа электропроводности областей транзисторы подразделяются на p-n-pи n-p-n. Отличие их обозначения в принципиальных электрических схемах – направление стрелки эммитера, которая совпадает с направлением тока эммитера (коллектора). В дальнейшем в этом разделе будем рассматривать n-p-nтранзисторы, как основной тип транзистора в настоящее время.

Биполярные транзисторы делятся на бездрейфовые, перенос инжектированных в базу носителей у которых осуществляется только за счет диффузии, и дрейфовые, у которых перенос носителей через базу осуществляется как за счет диффузии, так и за счет дрейфа. В дальнейшем будем рассматривать физику работы биполярного транзистора, базируясь на более простой модели бездрейфового транзистора, вводя необходимые коррективы при переходе к работе дрейфового транзистора.

Биполярный транзистор может работать в четырех режимах:

режим отсечки (эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении) (рис.3.1, а);

режим насыщения (эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении) (рис.3.1, б);

активный нормальный режим (эмиттерный переход включен в прямом, а коллекторный — в обратном направлениях) (рис.3.1, в);

активный инверсный режим (эмиттерный переход включен в обратном, а коллекторный — в прямом направлениях) (рис.3.1, г).

Графики распределения концентрации неосновных носителей заряда в базе транзистора для всех режимов его работы строили исходя из следующих соображений: во-первых, база в транзисторе всегда тонкаяи, следовательно, распределение линейное; во-вторых, граничную концентрацию неосновных носителей в базе со стороны эмиттера или коллектора можно рассчитать, воспользовавшись уже известным выражением (1.29):

,

где в качестве U_j подставляют величину напряжения перехода эмиттер - база или коллектор - база соответствующего знака.

Если предположить, что ток основных носителей базы (дырок для n-p-n-транзисторов) равен нулю (считаем, что рекомбинация отсутствует), то

e ;	(3.1)
E .	(3.2)

Из(3.2) видно, что если база легирована равномерно, то E_х = 0 (случай бездрейфового транзистора).

Если, используя методы диффузии илиионной имплантации, получаем концентрацию легирующей примеси N(x) в базе около эмиттера N_БЭ значительно больше, чем на границе с коллектором N_БК, то из-за наличия градиента концентрации в базе транзистора создается продольное электрическое поле E_х, отличное от нуля, направление которого способствует переносунеосновных носителей.

При экспоненциальном законе изменения N(x), величину поля Е_x при неравномерном легировании базы можно определить, записав(3.2)

Ex= ; ; ,

(3.3)

где .

Как правило, в инженерных расчетах наличие поля в базе учитывается удвоением коэффициента диффузии неосновных носителей в базе. Наличие поля в базе несколько изменит вид энергетической зонной диаграммы транзистора и распределение концентрации неосновных носителей в базе (рис.3.2).

В зависимости от названия электрода, который подключается к общему электроду внешней электрической цепи и по отношению к которому отсчитывается потенциал, различают три схемы включения транзистора: схема с общей базой - ОБ (схема с эмиттерным входом) (рис.3.3, а), схема с общим эмиттером - ОЭ (схема с базовым входом) (рис.3.3, б), схема с общим коллектором - ОК (эмиттерный повторитель) (рис.3.3, в).

Как уже отмечалось, поведение транзистора во многом определяется параметрами и распределением концентрации носителей в базе. Поэтому та область транзистора, база которой находится непосредственно под областью эмиттера, называется активной (рис.3.4, I) остальная — пассивной (рис.3.4, II).

Рисунок 3.1 – Энергетические зонные диаграммы и распределение концентрации
неосновных носителей в базе n-р-n бездрейфового транзистора в режимах

отсечки (а), насыщения (б), активном нормальном (в) и активном инверсном (г)

Рисунок 3.2 – Энергетическая зонная диаграмма (а) и распределение концентрации неосновных носителей в базе (б) n-р-n дрейфового транзистора в активном нормальном режиме

а) б) в)

Рисунок 3.3– Схемы включения транзисторов

а– с общей базой; б – с общим имиттером; в – с общим коллектором.

В таблице 3.1приведены соотношениякооэфициентов передачи тока K_I, напряжения K_Uи мошности K_Pтранзисторов с различным типом включения.

Таблица 3.1–стравнительный анализ коэффициентов усиления по току, напряжению и мощности для различных схем включения транзистора.

Рисунок 3.4– Типичный n-р-n планарно-эпитаксиальный транзистор