![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Статические параметрыОсновным статическим параметром МОП-транзистора является пороговое напряжение Uпоp, величина которого, связана со скоростью переключения и подпороговым током утечки. Выражения для порогового напряжения, составляющие, входящие в него, а также пути регулирования величины Uпоp изложены в подразд.4.2.2 и 4.2.3. Остановимся на определениях и методах измерения порогового напряжения. Согласно ГОСТу пороговое напряжение — это напряжение, при котором ток стока принимает заданное низкое значение. Каждый завод-изготовитель определяет свою минимальную величину тока стока, которая называется в паспорте (обычно порядка 1 мкА). Само определение Uпоp предполагает и соответствующую схему измерения, которую нет необходимости приводить и комментировать. Можно, пользуясь выражением (4.33) снять график зависимости В предыдущих рассуждениях о величине Uпоp и методах ее измерения предполагалось, что выводы истока и подложки соединены, и относительно их общего вывода подается напряжение на сток и затвор. В этом случае под действием приложенных к прибору напряжений изменяется лишь заряд электронов в канале, а величины остальных зарядов, влияющих на пороговое напряжение (4.15), остаются без изменений. Обратное смещение между истоком и подложкой увеличивает заряд ионизированной примеси в подложке (обедненного слоя) Рисунок 4.12– Определение величины а - график зависимости Участок 1 на (рис.4.12, а) определяется подпороговыми токами, протекающими в транзисторе при напряжениях меньше порогового. Для измерения коэффициента влияния подложки Необходимые измерения выполняются в следующем порядке: 1. Определяется пороговое напряжение 2. Аналогично при разомкнутом ключе BI определяется величина Коэффициент влияния подложки
Рисунок 4.13– График и схема измерения, поясняющие влияние напряжения На рис.4.13(а, б) приведены схема измерения коэффициента влияния подложки Величину заряда обедненного слоя на поверхности подложки Qос, описываемую выражением (4.14) при
На практике влияние напряжения смещения исток - подложка на величину Uпоp из-за изменения величины Qoc, учтенной в выражении (4.40), наблюдается только тогда, когда длина канала МОПТ значительно больше ширины обедненной области обратносмещенного n-р-перехода исток - подложка. Если же это условие нарушается, то одномерный анализ, который использован при выводе выражений(4.38) и (4.40), дает большую погрешность. Оценить влияние величины обратного смещения между истоком и подложкой в короткоканальных транзисторах можно, воспользовавшись двумерным анализом обедненного слоя.
|