![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОПТФизическая эквивалентная схема МОП-транзистора для малого сигнала, включающая в себя набор собственных емкостей прибора и сопротивлений структуры, представлена на (рис.4.14).
Рисунок 4.14– Малосигнальные физические эквивалентные схемы МОП-транзистора: а - схема, поясняющая образование собственных емкостей прибора; б - полная физическая эквивалентная схема МОП-транзистора. В приведенной эквивалентной схеме распределенная емкость затвор - канал Сзк представлена двумя сосредоточенными конденсаторами затвор - исток Сзи и затвор - сток Сзс. Эти конденсаторы отражают потокосцепление с зарядом канала, который определяет работу МОП-транзистора. Время пролета носителей через канал определяет быстродействие транзистора, что, в свою очередь, непосредственно связано со временем перезаряда конденсатора Сзк. Полагают, что в линейной области работы транзистора эти емкости равны Конденсаторы При моделировании этих обедненных областей нужно учесть в полной физической эквивалентной схеме еще и их дифференциальные сопротивления Пользуясь эквивалентной схемой, представленной на (рис.4.15), модуль коэффициента усиления транзистора
По определению (3.10) частота f равна предельной
Рисунок 4.15– Упрощенная физическая эквивалентная схема МОП-транзистора Из выражения (4.47) видно, что для повышения быстродействия транзистора необходимо в первую очередь увеличивать эффективную подвижность носителей в канале
|