![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Эффект паразитного биполярного транзистораВ длинноканальных транзисторах при лавинном пробое сток-истока дырки, коллектируясь подложкой, приводят только к увеличению тока подложки Iп, то в короткоканальных приборах они являются также причиной уменьшения напряжения пробоя. Падение напряжения на сопротивлении подложки
Рисунок 4.25 – Схема, поясняющая механизм включения паразитного биполярного транзистора:1 - процесс лавинного умножения носителей в обедненном слое около стока; 2 - процесс инжекции электронов из истока в канал и подложку. Развитие этого процесса приводит к электрическому пробою транзистора, начало которого определяется условием:
где
Так как концентрация примеси в истоковой области на несколько порядков выше, чем в подложке, то коэффициент инжекции электронов близок к единице. Поэтому:
где
Коэффициент лавинного умножения можно записать в виде
где Uкэ.о- напряжение пробоя биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и разомкнутой базой; Ucи.пр- напряжение пробоя перехода сток - подложка, n = 3..4.
Из выражений (4.67)–(4.69) для результирующего напряжения пробоя короткоканального МОПТ:
|