КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Методические указания к выполнению работы. 1.2.1 Вставьте печатную плату ЕВ – 111 в стенд PU 2000 от DEGEM system.1.2.1 Вставьте печатную плату ЕВ – 111 в стенд PU 2000 от DEGEM system. 1.2.2 Измерьте омметром сопротивление резистора R1. 1.2.3 Соберите схему, показанную на рисунке 1.1. 1.2.4 Повышая напряжение источника питания PS-1от нуля до максимального значения, записывайте значения тока Iд.пр. с интервалом 5 мА. Измеряйте значения напряжения Uд.пр. на диоде. Данные занесите в таблицу 1.1 Таблица 1.1
1.2.5 Соберите схему, показанную на рисунке 1.2. 1.2.6 Повышая напряжение источника питания PS-2от нуля до максимального значения с интервалом 1 В, записывайте значения тока. Данные занесите в таблицу 1.2. По полученным данным постройте характеристику обратного включения полупроводникового диода.
Таблица 1.2
1.2.7 Соберите схему, показанную на рисунке 1.3. Рисунок 1.3 – Схема для исследования однополупериодного выпрямителя и явления накопления неравновесных носителей в базе диода
1.2.8 Измерьте сопротивление резистора R3. 1.2.9 На вход Vinподайте синусоидальное напряжение от функционального генератора, размещенного на стенде PU – 2000, либо от отдельного генератора. Ток через диод будет протекать во время положительной полуволны входного напряжения, а на R3при этом будет напряжение, пропорциональное току через диод и резистор. Входное напряжение и выходное напряжение (на резисторе R3) измеряйте и зарисовывайте с помощью 2-х канального осциллографа. Исследование проводите на частотах 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц. 1.2.10 На вход Vinподайте прямоугольное напряжение (меандр) тех же частот: 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц с амплитудой 6В. При частоте 100кГц проведите измерения времени рассасывания tрасс и времени спадаtсп (см. рисунок 1.4)и рассчитайте амплитуды прямого и обратноготоков с помощью закона Ома.
Рисунок 1.4 – Временная диаграмма прямого и обратного токов диода
1.2.11 Амплитуду входного напряжения уменьшите до 1В и проделайте измерения тех же величин. 1.2.12 Соберите схему, показанную на рисунке 1.5. Рисунок 1.5 – Схема для снятия ВАХ стабилитрона
1.2.13 Измерьте сопротивление резистора R6. 1.2.14 Повышая напряжение источника питания PS-1от нуля до максимального значения, записывайте значения тока стабилитрона Iст.и напряжения на стабилитроне Uст, измеряйте и входное напряжение схемы (напряжение источника PS-1). Данные занесите в таблицу 1.3 и по полученным данным постройте ВАХ стабилитрона и нагрузочную линию для сопротивления R6. Укажите на графиках значения напряжений на резисторе R6 и на стабилитроне. 1.2.15 Измерьте и установите максимальное значение сопротивления нагрузки (R7 + RV2). 1.2.16 Соберите схему, показанную на рисунке 1.6.
Таблица 1.3
Рисунок 1.6 – Схема исследования параметрического стабилизатора напряжения 1.2.17 Повышая напряжение источника питания PS-1от 1В до максимального значения с интервалом 1В измеряйте ток источника PS-1 Iист и напряжение на нагрузке Uст, измеряйте также и входное напряжение схемы Uвх (напряжение источника PS-1). Данные занесите в таблицу 1.4.
Таблица 1.4
1.2.18 Проделайте те же измерения при сопротивлениях нагрузки: Rн = 600 Ом и 200 Ом. 1.2.19 По полученным данным постройте вольтамперные характеристики стабилитрона с подключенной нагрузкой.
|