![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Расчетное задание2.3.1 Построить на одном графике, как показано на рисунке 2.5, входныехарактеристики транзистора Iб=f(Uбэ) при фиксированных напряжениях на коллекторе: Uкэ= 0В, Uкэ= 5В и Uкэ= 10В (по данным из таблиц 2.1. и 2.2). По характеристикам определить графическим способом параметры h11 и h12 для области, расположенной на середине восходящего участка, h11 = ΔUбэ / ΔIб – входное дифференциальное сопротивление транзистора, h12 = ΔUбэ / ΔUкэ = ΔUбэ1/(10В-5В) – коэффициент внутренней обратной связи.
2.3.2 Построить на одном графике семейство выходныххарактеристик транзистора Iк=f(Uкэ) при фиксированных токах базы по данным из таблицы 2.3. По характеристикам определить графическим способом параметры h21 и h22 для области, расположенной приблизительно в середине семейства характеристик, как показано на рисунке 2.6 h22= ΔIк/ΔUкэ – выходная дифференциальная проводимость транзистора, h21 = ΔIк1/ ΔIб = ΔIк1/( Iб111-Iб11) – коэффициент передачи тока базы. 2.3.3 Построить семейство стоковых характеристик Iс = f(Uси) по данным из таблицы 2.4. Провести нагрузочные линии для сопротивлений R1 и R2, оценить коэффициент усиления. 2.3.4 Построить семейство стоко-затворных характеристик транзистора Iс = f(Uзи.) по данным таблицы 2.5. Измерить крутизну характеристики транзистора при различных напряжениях стока. 2.3.5 Вычислить сопротивления канала сток – исток при различных напряжениях на затворе по данным таблицы 2.6.
Контрольные вопросы 2.4.1 Принцип действия биполярного транзистора, физические процессы в р-n переходах Э-Б и Б-К. 2.4.2 Почему коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения? 2.4.3 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОБ. 2.4.4 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОЭ. 2.4.5 В чём достоинства системы h-параметров транзистора как 4-х полюсника? 2.4.6 В чём коренное отличие полевых транзисторов от биполярных в смысле носителей электрического заряда? 2.4.7 Какие происходят изменения в канале при подаче обратного напряжения на p-n переход затвор-исток? 2.4.8 Какие ещё существуют типы полевых транзисторов, кроме исследованного? 2.4.9 Чем управляется ток канала исток – сток в полевом транзисторе с изолированным затвором? 2.4.10 В чём преимущества полевых транзисторов перед биполярными?
|