Методические указания к выполнению работы. 2.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

2.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

2.2.2 Измерить сопротивления резисторов Rv1, R4, R5.

2.2.3 Собрать схему для снятия входной характеристики I_б = f(U_бэ) транзистора при напряжении на коллекторе U_кэ= 0В (см. рисунок 2.1).

2.2.4 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток с интервалом 10 мкА, измеренные значения напряжения базы U_бэ занести в таблицу 2.1.

Рисунок 2.1 – Схема для снятия входной характеристики биполярного транзистора при напряжении на коллекторе, равном нулю

Таблица 2.1

2.2.5 Собрать схему для снятия входных характеристик I_б=f(U_бэ) биполярного транзистора при фиксированных напряжениях на коллекторе U_кэ=5В и U_кэ=10В (см. рисунок 2.2).

2.2.6 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение U_кэ=5В.

2.2.7 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы U_бэ заносить в таблицу 2.2.

2.2.8 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение U_кэ=10В.

2.2.9 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы U_бэ заносить в таблицу 2.2.

Рисунок 2.2 – Схема для снятия входных характеристик биполярного транзистора при напряжениях на коллекторе 5В и 10В

Таблица 2.2

2.2.10 Собрать схему для снятия выходной характеристики

I_к=f(U_кэ) транзистора при токе базы, равном нулю (см. рисунок 2.3).

2.2.11 С помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 2.3.

2.2.12 Собрать схему для снятия выходных характеристик I_к=f(U_кэ) транзистора при фиксированных токах базы (см. рисунок 2.4).

2.2.13 При помощи переменного резистора Rv1 установить базовый ток 20мкА, с помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 2.3.

Рисунок 2.3 – Схема для снятия выходной характеристики транзистора при токе базы, равном нулю

2.2.14 Снять характеристики I_к=f(U_кэ) при заданных токах базы.

Рисунок 2.4 – Схема для снятия семейства выходных характеристик биполярного транзистора при заданных токах базы

Таблица 2.3

2.2.15 Установить печатную плату ЕВ – 112, которая содержит схему для исследования полевого тарнзистора, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

2.2.16 Измерить сопротивления резисторов R₁, R₂, R₃, R₄, RV1.

2.2.17 Собрать схему для снятия стоковых характеристик I_с = f(U_си), показанную на рисунке 2.5.

Рисунок 2.5 – Схема для снятия характеристик полевого транзистора

2.2.18 Устанавливая фиксированные напряжения на затворе U_зи, снимать зависимости тока стока от напряжения на стоке I_с = f(U_си.), изменяя напряжение источника PS-1. Данные заносить в таблицу 2.4.

Таблица 2.4

2.2.19 Устанавливая фиксированные напряжения на стоке U_си, снимать зависимости тока стока от напряжения на затворе I_с = f(U_зи), изменяя напряжение источника PS-2. Данные заносить в таблицу 2.5.

Таблица 2.5

2.2.20 Измерить напряжение U_зи отсечки, при котором прекращается стоковый ток.

2.2.21 Собрать схему для измерения сопротивления канала исток-сток, показанную на рисунке 2.6.

2.2.22 Установить напряжение источника PS-1, равным 10В, снимать показания вольтметров. Данные заносить в таблицу 2.6.

Таблица 2.6

Рисунок 2.6 – Схема для измерения сопротивления канала исток-сток