Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Программа работы. На рисунке 2.19 приведена принципиальная электрическая схема лабораторного макета для исследования электронных ключей




 

На рисунке 2.19 приведена принципиальная электрическая схема лабораторного макета для исследования электронных ключей, построенных на основе биполярных транзисторов.

 

1. Снять передаточную характеристику транзисторного ключа =f ( ) при двух значениях = 430; 910 Ом. По характеристике рассчитывать величины , К.

2.Исследовать переходные процессы в транзисторном ключе. Зарисовать временные диаграммы на входе и выходе ключа при = 910 Ом, S =2-4, = 0. На вход ключа подать импульсы положительной полярности с = 15 мкс. Снять зависимости , , от амплитуды импульсов при двух значениях .

3.Исследовать влияние ускоряющей емкости на скорость переходных процессов, зарисовать сравнительные временные диаграммы на выходе ключа с ускоряющей емкостью и без ускоряющей емкости. Сравнить соответствую­щие значения , , .

4.Исследовать работу ТТЛ элемента 2И-НЕ. Построить таблицу истин­ности элемента. Измерить выходные логические уровни и .

5.Снять передаточную характеристику ненагруженного и нагруженного элемента. Определить величину .

6. Измерить в соответствии со схемой рис.18 среднее время задержки распространения логического элемента. На вход измерительной схемы подать от генератора Г5-54 положительный импульс с = 1 мкс с частотой f = 100 кГц и U < 4 В. С помощью осциллографа, установлен­ного в режим внешней синхронизации, измерить длительность выходного импуль­са. Время задержки рассчитать по формуле /К.

 

Контрольные вопросы к лабораторной работе №2

1. Изобразить устойчивые состояния ключа на основе биполярного транзистора на входных и выходных вольтамперных характеристиках.

2. Пояснить методику расчета переходных процессов в ключе на основе биполярного транзистора методом «заряда в базе».

3. Способы повышения быстродействия электронных ключей на основе биполярных транзисторов.

4. Элемент ТТЛ с простым инвертором. Работа. Недостатки схемы.

5. Элемент ТТЛ со сложным инвертором. Работа. Основные эксплуатационные параметры.

6. Элементы ТТЛШ. Назначение элементов схемы. Основные эксплуатационные параметры.

7. Таблицы истинности. Составление СДНФ и СКНФ. Составление схемы комбинационного логического устройства.

8. Понятие логического базиса. Минимизация логических выражений. Карты Карно.

 

Лабораторная работа №3

ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕЙ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

НА ПОЛЕВЫХ-ТРАНЗИСТОРАХ


Поделиться:

Дата добавления: 2015-04-05; просмотров: 127; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты