![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Краткие теоретические сведения. В радиоэлектронной аппаратуре нашли применение дискретные полевые транзисторы и интегральные микросхемы (ИМС)В радиоэлектронной аппаратуре нашли применение дискретные полевые транзисторы и интегральные микросхемы (ИМС), использующие полевые структуры в качестве активных элементов. Широкому применению полевых транзисторов способствует малая собственная инерционность, поскольку токи в них переносятся только основными носителями. Поэтому у них не наблюдаются такие характерные для биполярных транзисторов эффекты, как накопление и рассасывание неосновных носителей, которые уменьшают скорость переключения. При создании интегральных микросхем применяются полевые транзисторы с изолированным затвором. В таких транзисторах в чистом или слаболегированном кремнии (подложка) диффузией созданы слаболегированные области противоположного по сравнению с подложкой типа проводимости - области стока и истока. Металлический электрод затвора изолирован от подложки слоем диэлектрика толщиной 0,15-0,3 мкм. При применении диэлектриков на основе окислов кремния транзисторы принято называть МОП-транзисторами (металл-окисел-полупроводник). При использовании двухслойных диэлектриков на основе окисла кремния и нитрида кремния или иных слоистых диэлектриков транзисторы называют МДП-транзисторами (металл-диэлектрик-полупроводник). В зависимости от типа проводимости канала и наличия или отсутствия проводящего канала при нулевом напряжении на затворе МДП-транзисторы разделяются на два типа: с индуцированным и встроенным канатами. При построении ИМС применяются полевые транзисторы с индуцированным каналом р- и n-типа, условные обозначения которых приведены на рис. 3.1 (з - затвор; с - сток; п - подложка; и - исток), на рис.3.2 - проходные характеристики, а рис.3.3 -выходные характеристики. Более высокая подвижность электронов по сравнению с дырками приводит к тому, что скорость переключения n-канальных МДП-транзисторов во много раз выше, чем р-канальных. При напряжении
где S - крутизна транзистора, определяемая как S = d Обычно для дискретных транзисторов S не превосходит 10 мА/В, а для МДП-транзисторов в интегральных схемах - 0,5 мА/В. Крутизна наклона линейного участка
|