Логические элементы на основе МДП-транзисторов

Рассмотренные схемы транзисторных ключей с активной нелинейной нагрузкой являются основой для построения интегральных микросхем МДП-типа. На рис. 3.10, 3.11 приведены схемы базовых логических элементов ИЛИ-НЕ и И-НЕ. Рассмотрим работу схе­мы ИЛИ-НЕ (рис. 3.10). Если хотя бы один или оба из входных сигналов или имеют уровень лог. 1 U = , то открыт один из транзисторов или (или оба транзистора). Транзисторы и закры­ты, и сигнал на выходе имеет низкий уровень = 0.

Если на оба входа и подается уровень лог. 0 (U = = 0), то транзисторы и закрыты, а и открыты и сигнал на выходе Y имеет уровень лог.1 ( = ).

Для элемента И-НЕ (рис.3.11) сигнал на выходе Y имеет значение лог.0 при подачи на входы и уровня лог.1. В этом случае транзисторы и открыты, a и - закрыты. При других комбинациях входных сигналов X, и Х₂ один из транзисторов или или оба транзистора и открыты, и сигнал на выходе Y имеет высокий уровень .

Нагрузочная способность элементов на МДП - транзисторах весьма велика, примерно на порядок выше, чем у таких же схем на биполярных транзисторах. Это обусловлено тем, что входные сопротивления МДП-транзисторов весьма велики и ток в цепи изолированного затвора весьма маг

На практике число схем на МДП-транзисторах, которое может быть подключено и качестве нагрузки к выходу схемы, ограничено допустимым ухудшением длительности фронтов: рост числа подключаемых схем приводит к росту эквивалентной емкости (за счет входных емкостей схем-нагрузок).