КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Программа работы. 1. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с линейной нагрузкой (рис.3.6).1. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с линейной нагрузкой (рис.3.6). 1.1. Снять передаточную характеристику ключа для значений сопротивлений 56 кОм и 200 кОм при изменении входного напряжения от 0 до +9 В. 1.2. Снять зависимость длительности времени включения и ключа для значений сопротивления нагрузки 56 кОм и 200 кОм и значений амплитуды входного сигнала 1-8 В. 2. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с активной нелинейной нагрузкой (рис. 3.8). 2.1. Снять передаточную характеристику ключа при изменении входного напряжения от 0 до +9 В. 2.2. . Снять зависимость длительности времени включения и выключения ключа для значений входного напряжения от 0 до +8 В. 3. Исследовать работу и составить таблицу истинности логического элемента ИЛИ-НЕ (рис. 3.10). 4. Исследовать работу и составить таблицу истинности логического элемента И-НЕ (рис. 3.11). 5. Измерить среднее время задержки распространения ИМС серия 176.Схема измерения среднего времени задержки распространения показана на рис. 3.12.
На вход схемы подключить генератор импульсных сигналов Г5-54. Установить длительность импульса 2 мкс, амплитуду 8 В, частоту следования импульсов - 1 кГц, полярность - положительная. Выходной сигнал контролировать осциллографом, работающим в режиме внешней синхронизации. Сигнал синхронизации осциллографа подать с генератора Г5-54. Время задержки распространения одного элемента: = /5, где - длительность импульса на выходе схемы И (D6). Контрольные вопросы к лабораторной работе № 3
На рисунке 3.13 приведена принципиальная электрическая схема лабораторного макета для исследования электронных ключей на основе полевых транзисторов. 1. Статические состояния электронного ключа на основе полевого транзистора. 2. Переходные процессы в электронном ключе, построенном на основе полевого транзистора с резистивной нагрузкой. 3. Инвертор на основе КМОП-транзисторов. Работа. Основные преимущества и недостатки перед ТТЛ, 4. Логические элементы «И-НЕ», «ИЛИ-НЕ». Схема. Таблица истинности. 5. Формирователь короткого импульса из перепада КМОП уровня. 6. Использование незадействованных выводов в интегральной схемотехнике на основе КМОП-структур. 7. Особенности транспортировки, хранения и монтажа интегральных микросхем на основе КМОП-структур. 8. Сопряжение интегральных микросхем различных серий. (ТТЛ ЭСЛ, ТТЛ КМОП, КМОП ТТЛ).
Лабораторная работа №4
ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
|