Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Программа работы. 1. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с линейной нагрузкой (рис.3.6).




1. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с линейной нагрузкой (рис.3.6).

1.1. Снять передаточную характеристику ключа для значений сопротивлений 56 кОм и 200 кОм при изменении входного напряжения от 0 до +9 В.

1.2. Снять зависимость длительности времени включения и ключа для значений сопротивления нагрузки 56 кОм и 200 кОм и значений амплитуды входного сигнала 1-8 В.

2. Исследовать транзисторный ключ на МДП-транзисторе с активной нелинейной нагрузкой (рис. 3.8).

2.1. Снять передаточную характеристику ключа при изменении входного напряжения от 0 до +9 В.

2.2. . Снять зависимость длительности времени включения и выключения ключа для значений входного напряжения от 0 до +8 В.

3. Исследовать работу и составить таблицу истинности логического элемента ИЛИ-НЕ (рис. 3.10).

4. Исследовать работу и составить таблицу истинности логического элемента И-НЕ (рис. 3.11).

5. Измерить среднее время задержки распространения ИМС серия 176.Схема измерения среднего времени задержки распространения показана на рис. 3.12.

 

На вход схемы подключить генератор импульсных сигналов Г5-54. Установить длительность импульса 2 мкс, амплитуду 8 В, частоту следования импульсов - 1 кГц, полярность - положительная. Выходной сигнал контролировать осциллографом, работающим в режиме внешней синхронизации. Сигнал синхронизации осциллографа подать с генератора Г5-54. Время задержки распространения одного элемента: = /5, где - длительность импульса на выходе схемы И (D6).

Контрольные вопросы к лабораторной работе № 3

 

На рисунке 3.13 приведена принципиальная электрическая схема лабораторного макета для исследования электронных ключей на основе полевых транзисторов.

1. Статические состояния электронного ключа на основе полевого транзистора.

2. Переходные процессы в электронном ключе, построенном на основе полевого транзистора с резистивной нагрузкой.

3. Инвертор на основе КМОП-транзисторов. Работа. Основные преимущества и недостатки перед ТТЛ,

4. Логические элементы «И-НЕ», «ИЛИ-НЕ». Схема. Таблица истинности.

5. Формирователь короткого импульса из перепада КМОП уровня.

6. Использование незадействованных выводов в интегральной схемотехнике на основе КМОП-структур.

7. Особенности транспортировки, хранения и монтажа интегральных микросхем на основе КМОП-структур.

8. Сопряжение интегральных микросхем различных серий. (ТТЛ ЭСЛ, ТТЛ КМОП, КМОП ТТЛ).

 

 

Лабораторная работа №4

 

ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ


Поделиться:

Дата добавления: 2015-04-05; просмотров: 167; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты