КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Биполярный транзистор.⇐ ПредыдущаяСтр 17 из 17 Перед решением задачи изучите по Л.§13.1-9, Л2.§11.1-7, Л3.§16.1-9.
Пример 11.1. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, ток коллектора Iк, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э.
Решение. Рис.11.0.
1.Определяем по входной характеристике при UБЭ = 0,25 В ток базы IБ = 150 мкА.
2.Определяем по выходным характеристикам для Uкэ = 6 В ток коллектора Iк = 14 мА.
3.Сопротивление нагрузки:
Rк = (Е – Uкэ) /Iк = (20 – 6) / 14 = 1 кОм.
4.Мощность на коллекторе:
Рк = Uкэ ∙ Iк = 6∙ 14 = 84 мВт.
5.На выходных характеристиках строим отрезок АВ, из которого определяем:
∆Iк= АВ = IК1 – IК2 = 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА. ∆ IБ = АВ = Iб1 – Iб2 = 150 – 100 = 50 мкА.
6.Определяем коэффициент усиления:
h21Э = ∆Iк/ ∆ IБ = 5000/ 50 = 100. При Uкэ = 6 В.
Ответ: IБ = 200 мкА, Iк = 14 мА, Rк = 1 кОм, Рк = 84 мВт, h21Э =100.
Пример 11.2. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, напряжение на коллек- торе Uкэ, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э.
Решение. Рис.11.0.
1. Определяем по входной характеристике при Uбэ = 0,25 В ток базы Iб = 150 мкА.
2. Для определения напряжения Uкэ строим линию нагрузки по двум точкам: Uкэ = Е = 20 В при Iк = 0 на оси абсцисс и Iк = Е/ Rк. = 20 / 1,0 = 20 мА на оси ординат.
3. Определяем на выходных характеристиках точку А на пересечении линии нагрузки с током базы IБ = 150 мкА.
4.Определяем для точки А ток коллектора Iк = 14 мА и напряжение Uкэ = 6В.
5.Мощность на коллекторе: Рк = Uкэ ∙ IК = 6 14 = 84 мВт.
6.Для определения коэффициента усиления строим отрезок АВ, из которого определяем:
∆Iк = АВ = IК1 – IК2= 14 -9 = 5 мА= 5000 мкА. ∆ IБ = АВ = Iб1 – Iб2 = 150 – 100 = 50 мкА. 7.Определяем коэффициент усиления:
h21Э = ∆Iк / ∆ IБ = 5000 / 50 = 100 при Uкэ = 6 В.
Ответ: IБ = 200 мкА, Uкэ = 6В, Rк = 1 кОм, Рк = 84 мВт, h21Э =100.
Задача 11. (Варианты 1-10) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, ток коллектора IК, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.1.
Таблица 11.1
Задача 11. (Варианты 11-20) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить напряжение базы UБ, ток коллектора Iк, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.2. Таблица 11.2
Задача 11. (Вариант 21-30) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы IБ, напряжение на коллекторе Uкэ, сопротивление нагрузки Rк, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.3.
Таблица 11.3
Задача 11. (варианты 31-40) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить ток базы Iб, напряжение на коллекторе Uкэ, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.4.
Таблица 11.4
Задача 11. (Вариант 41-50) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить токи базы UБЭ1,UБЭ2, напряжения на коллекторе UКЭ1,UКЭ2, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.5.
Таблица 11.5
Задача 11. (Вариант 51-60) Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя характеристики, определить напряжения базы UБЭ1,UБЭ2, напряжения на коллекторе UКЭ1,UКЭ2, мощность на коллекторе Рк и коэффициент усиления h21Э. Данные для своего варианта выбрать из таблицы 11.6.
Таблица 11.6
Входные и выходные характеристики транзисторов.
Содержание.
|