МДП-ТРАНЗИТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И ИНДУЦИРОВАННЫМ ПРОВОДЯЩИМ КАНАЛОМ

Транзисторы с индуцированным проводящем п-каналом изготавливаются монокристаллической полупроводниковой подложке р-типа. Устройство МДП-транзистора показано на рис.5.6.

Рис.5.6. Устройство полевого транзистора с изолированным

затвором и индуцированным «п» проводящим каналом

Транзистор выполнен на подложке из кремния типа «р» (см рис. 5.6 а). В поверхностном слое подложки формируется две области обогащенные электронами (области п+). Омические контакты соединяют эти области с двумя выводами из поликремния: истоком (обозначен на рисунке буквой «и») и стоком (обозначен на рисунке буквой «с»).

Затвор обозначен буквой «з» и подложка разделенные тонким изолирующим слоем двуокиси кремния. При этом образуется входной МДП-конденсатор.

Действие транзистора иллюстрируется рис. 5.6.б. Электрическое поле, создаваемое положитель­ным потенциалом затвора, индуцирует соответствующий отрицатель­ный заряд в полупроводнике подложки, которая служит как бы второй пластиной конденсатора. При возрастании положительного напря­жения, приложенного к затвору, в области подложки между истоком и стоком образуется инверсионный слой с электронной проводимостью «п» проводящий канал. Через этот индуцирован­ный канал типа «п» может протекать ток от стока к истоку. Чем больше напряжение на затворе, тем больше поперечное сечение индуциро­ванного канала и, следовательно, больший ток протекает между истоком и стоком. Иначе говоря, величиной тока стока можно управлять путем изменения потенциалов на затворе.