Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ №2 ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ




Правила оформления работ те же, что и для задач по электротехнике. При решении задач по электронике нужно иметь в виду, что обычно расчет величин резисторов и других элементов производится с точностью не выше нескольких процентов. Поэтому после расчета следует округлять результат, оставляя не более двух значащих цифр. По той же причине часто при расчете можно пользоваться упрощенными формулами вместо точных. Например, при расчете режимов работы транзисторов можно пренебрегать напряжением Uбэ , поскольку обычно оно мало по сравнению с другими напряжениями в схеме (в случае открытого транзистора). Точно так же можно полагать, что в режиме насыщения Uкэ=0. Вследствие малости параметра h12э у транзистора можно считать, что коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторе.

 

Контрольная работа№2

Задача 1. В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе (рис. 8) начальное смещение базы в режиме покоя задается током резистора Rб. Даны параметры RK, EK и h21э транзистора (см. таблицу). Рассчитать величину Rб так, чтобы в режиме покоя выполнялось условие IUKэI=l/2IEKI.

Рис. 8. Рис. 9.

Вариант Данные к задаче 1 Вариант Данные к задаче 1
Rк, кОМ Ек, В h21э Rк, кОМ Ек, В h21э
1,2 5,6 4,3 1,5 2,4 1,8 3,6 1,6 3,2 8,5 7,5

 

Задача 2. В схеме транзисторного ключа (рис. 9) даны сопротивление резистора RK и значение .параметра h21э транзистора (см. таблицу). Рассчитать величину Rб так, чтобы в отсутствие подаваемых на базу импульсов транзистор входил в насыщение с коэффициентом насыщения SH. .

 

Вариант Данные к задаче 2 Вариант Данные к задаче 2
Rк, кОМ h21э SH Rк, кОМ h21э SH
1,5 2,5 1,5 1,8 2,5 1,7 1,0 3,5 2,7 4,5 1,8 1,3 1,9 1,6 2,2 1,4

 

Задача 3. В схеме, изображенной на рис. 10, в отсутствие сигнала на входе транзистор находится в .состоянии насыщения, конденсатор С разряжен. В момент времени t=0 транзистор запирается положительным импульсом длительностью t1, а затем вновь входит в состояние насыщения. 1) Указать на схеме пути токов заряда и разряде конденсатора С. 2) Написать формулу, в соответствии с которой изменяется напряжение на конденсаторе в момент времени 0 ≤t≤t1. 3) Найти напряжение на конденсаторе в момент времени t=t1. 4) Написать формулу, в соответствии с которой изменяется (напряжение на конденсаторе при t≥t1. 5) Начертить график зависимости напряжения на конденсаторе от «рамени.

Рис. 10. Рис. 11.

Дано: Ек=12 В, Rс=0,5 кОм, остальные значения приведены в таблице

Вариант Данные к задаче 3 Вариант Данные к задаче 3
Rк, кОМ С, мкФ t1, мс Rк, кОМ С, мкФ t1, мс
7,5 2,5 0,1 0,05 0,03 0,15 0,5 0,2 0,7 1,5 4,5 5,6 0,2 0,3 0,02 0,05 0,33 1,5 0,2 0,6 2,5

Задача 4. В схеме, изображенной на рис. 11, на фотодиод с чувствительностью К. падает световой поток Ф, в результате чего показание вольтметра изменилось на величину ΔU. Рассчитать величину светового потока Ф. Дано: Rк=3 кОм; величины К, ΔU и h21э приведены в таблице.

Вариант Данные к задаче 4 Вариант Данные к задаче 4
К, мА/лм DU, В h21Э К, мА/лм DU, В h21Э
1,5 1,2 0,5 0,7 2,5 1,1 0,8

Задача 5. В схеме, приведенной на рис. 12, определить сигналы на выходах Y1 Y2 и Y3. Значения сигналов на входах X1 X2, Х3 X4 даны в таблице.

Вариант Данные к задаче 5 Вариант Данные к задаче 5
х1 х2 х3 х4 х1 х2 х3 х4

 

Задача 6. Показать, что два транзистора, включенных по схеме составного транзистора (рис. 13), эквивалентны одному транзистору с параметром h21э » h′21э h″21э, где h′21э и h″21э - параметры первого и второго транзисторов соответственно.

Рис. 12. Рис. 13.

 

Литература

1. Евдокимов Ф.Е. Теоретические основы электротехники. – М.: Высшая школа, 2001. – С. 496.

2. Данилов И.А., Иванов П.М. Общая электротехника с основами электроники. – М.: Высшая школа, 2000. – С. 752.

3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. – М.: Высшая школа, 1999. – С. 382.

4. Электроника. Энциклопедический словарь. / Под ред. В.Г. Колес-никова. – М., 1991.

5. Попов В.С. Теоретическая электротехника. – М.: Энергоатализдат, 1990. – С. 544.


 

Фарафонова Татьяна Владимировна

 


Поделиться:

Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 176; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты