![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Густина квантових станів у енергетичній зоніГустина квантових станів кристалічної речовини має враховувати характер носіїв у зоні провідності і валентній зоні. Електрони провідності і дірки мають однаковий спін, рівний Скористаємось одержаною формулою густини станів в енергетичній зоні в області енергій від Е до Е+dЕ
де s – спін частинки; p – імпульс частинки; dV – об’єм кристала;
Густина квантових станів електронів провідності нижньої частинки зони провідності буде дорівнювати
Густина квантових станів верхньої частини валентної зони
Співвідношення (2.5.6) і (2.5.7) описують розподіли квантових станів в тих частинах зони провідності і валентної зони, для яких відомі точні значення залежності імпульсу носіїв струму від їх кінетичної енергії. Цю умову задовольняє нижня частина зони провідності і верхня частина валентної зони.
|