![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Двойной волноводный Т-мост.
При записи матрицы симметрии учтено, что входы 3 и 4 взаимно симметричны, а входы 1 и 2 симметричны сами себе, причем со стороны входа 2 рассматриваемый 8-полюсник аналогичен последовательному разветвлению линий передачи, что учтено элементом —1 во второй строке матрицы G. Вычисляя произведения матриц в правой и левой частях тождества GSºSG и приравнивая элементы 'произведений, находящихся в позициях pq (произведение строки р первого сомножителя на столбец ц второго сомножителя), получаем соотношения между элементами матрицы рассеяния двойного Т-разветвле-ния:
Наиболее важным является первое соотношение (1), из которого вытекает S12= 0. Т.о., из взаимности и зеркальной симметрии двойного Т-разветвления следует, что входы 1 и 2 идеально развязаны на любой частоте. “Чистое” двойное Т-разветвление при его возбуждении со стороны входов 1 и 2 ведет себя подобно несвязанным тройниковым разветвлениям и характеризуется значительным рассогласованием входов. Для согласования входа 1 обычно предусматривается настроечный штырь в плоскости симметрии (рис. 3.8), а для согласования входа 2 — индуктивная диафрагма. Вследствие развязки входов 1 и 2 оба настроечных элемента действуют совершенно независимо и подбором их положения и размеров удается идеально согласовать входы 1 и 2 (при замыкании входов 3 и 4 на согласованные нагрузки). С учетом согласования входов 1 и 2 и условий (1) матрица рассеяния двойного Т-разветвления принимает вид:
При отсутствии потерь эта матрица должна быть унитарной, что приводит к равенствам Tt*T=E, Tt*R = 0. Умножая второе соотношение слева на матрицу Т и учитывая первое соотношение, получаем R º 0, т.е. S33=S34=0. Т.о., входы 3 и 4 также получаются развязанными и согласованными. Этот результат имеет достаточно общий характер и может быть сформулирован в виде теоремы: если реактивный восьмиполюсник согласован и одновременно развязан по одной паре входов, то он обязательно согласован и развязан и по другой паре входов, т.е. является направленным ответвителем. При надлежащем выборе положений плоскостей отсчета фаз матрица рассеяния согласованного двойного Т-разветвления принимает вид:
Т.о., имеет место равное деление мощности между любыми парами выходных линий, причем со стороны одного развязанного входа деление мощности синфазное, а со стороны другого — противофазное. Направленные ответвители с равным делением мощности принято называть мостами, поэтому рассмотренное устройство часто называют двойным Т-мостом.
Элементы трактов для различных диапазонов волн. Согласованные нагрузки для различных линий передач. Реактивные нагрузки. Изоляторы для коаксиального тракта. Разъемы согласования трактов СВЧ: контактные и дроссельные фланцы. Переходы между линиями передач различных типов: КВП, волноводно-вращающиеся сочленения, коаксиально-полосковые переходы. К числу наиболее распространенных элементов трактов относятся согласованные нагрузки, предназначенные для поглощения мощности, передаваемой по линии передачи. Согласованные нагрузки применяют также в качестве эквивалентов антенн при настройке передающей аппаратуры и в виде меры сопротивления в измерительных устройствах СВЧ. Основной характеристикой согласованной нагрузки является модуль ее коэффициента отражения |р| (или соответ-щие значения КБВ или КСВ) в заданной полосе частот. Технически возможно создание нагрузок с |р| ≤ 0,01 в относит-ной полосе частот 20 - 30% и более. Важной харак–кой нагрузки является допустимая поглощаемая мощность. Существуют нагрузки для низкого уровня мощности (не более 1 Вт) и для высокого уровня мощности.
Волноводные согласованные нагрузки (рис. 2) выполняют в виде поглощающих вставок переменного профиля в отрезке короткозамкнутого волновода. В маломощных нагрузках вставки имеют вид тонких диэлектрических пластин, покрытых графитовыми или металл. пленками (рис. 2, а). Объемные поглощающие вставки (рис. 2, б–г) с большой мощностью рассеяния выполняют из композитных материалов на основе порошков графита, карбонильного железа или карбида кремния.
|