Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Етап 3 Розрахунок частотно-залежних елементів схеми підсилювача




1.12 За умовою завдання на частоті Fн коефіцієнт спотворення на низьких частотах Мн = 1,41. Розподілимо низькочастотні спотворення між двома перехідними та одним блокуючим конденсатором таким чином, щоб

МнСp1= МнСp2

та

Мн = Мн Сp1∙Мн Сp2∙Мн Сpе.

Зазвичай на блокуючий конденсатор виділяють велику частину частотних спотворень, оскільки ланцюги їх заряду більш низькоомні порівняно з ланцюгами перезаряду перехідних конденсаторів.

1.13 Визначимо номінали перехідних конденсаторів Ср1 і Ср2.

Ср1 ³ , (1.15)

Ср2 ³ . (1.16)

 

Вибираємо стандартні величини ємностей конденсаторів.

1.14 Визначимо номінал блокуючого конденсатора Се:

Се ³ , (1.17)

 

де Rвих_е = . (1.18)

Вибираємо стандартне значення ємностіСе.

1.15Перевіримо правильність вибору типу транзистора з точки зору забезпечення заданої верхньої граничної частоти.

 

Тb= , (1.19)

 

fh21Б = , (1.20)

 

де k = 0,2 – 0,6.

Отже, якщо задано fгр, тоді

 

Тb= , (1.21)

 

Те= Тb+ СК (1+ h21е) Rкн, (1.22)

де Rкн = RК∙RН / (RК + RН).

 

Тb= , (1.23)

де ΥБ= . (1.24)

 

За умовою завдання на частоті Fв коефіцієнт спотворень на високих частотах Мв = 1,41. Критерій придатності транзистора:

 

fh21Б³ fв= 1/ (2 ∙Тb); (1.25)

 

МВ ³ (1+ (FВ/ fв)2) ½ . (1.26)

 



Поделиться:

Дата добавления: 2015-09-13; просмотров: 74; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты