КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Етап 3 Розрахунок частотно-залежних елементів схеми підсилювача1.12 За умовою завдання на частоті Fн коефіцієнт спотворення на низьких частотах Мн = 1,41. Розподілимо низькочастотні спотворення між двома перехідними та одним блокуючим конденсатором таким чином, щоб МнСp1= МнСp2 та Мн = Мн Сp1∙Мн Сp2∙Мн Сpе. Зазвичай на блокуючий конденсатор виділяють велику частину частотних спотворень, оскільки ланцюги їх заряду більш низькоомні порівняно з ланцюгами перезаряду перехідних конденсаторів. 1.13 Визначимо номінали перехідних конденсаторів Ср1 і Ср2. Ср1 ³ , (1.15) Ср2 ³ . (1.16)
Вибираємо стандартні величини ємностей конденсаторів. 1.14 Визначимо номінал блокуючого конденсатора Се: Се ³ , (1.17)
де Rвих_е = . (1.18) Вибираємо стандартне значення ємностіСе. 1.15Перевіримо правильність вибору типу транзистора з точки зору забезпечення заданої верхньої граничної частоти.
Тb= , (1.19)
fh21Б = , (1.20)
де k = 0,2 – 0,6. Отже, якщо задано fгр, тоді
Тb= , (1.21)
Те= Тb+ СК (1+ h21е) Rкн, (1.22) де Rкн = RК∙RН / (RК + RН).
Тb= , (1.23) де ΥБ= . (1.24)
За умовою завдання на частоті Fв коефіцієнт спотворень на високих частотах Мв = 1,41. Критерій придатності транзистора:
fh21Б³ fв= 1/ (2 ∙Тb); (1.25)
МВ ³ (1+ (FВ/ fв)2) ½ . (1.26)
|