Методика розрахунку

4.1 Визначимо величину напруги джерела живлення:

Е_к = (8Р_вих∙R_н)^1/2+ 1. (4.1)

4.2 Знайдемо максимальне значення колекторного струму транзисторів VT3 і VT4:

I_{к_max_розр}(VT_3,4)= Е_к/(2R_н). (4.2)

Таблиця 4

4.3 Вибираємо значення струму спокою транзисторів VT3 і VT4:

I_кс≈ (0,01...0,02) I_{к_max_розр}(VT_3,4). (4.3)

При використанні потужних низькочастотних транзисторів I_кс має бути не менше 5мА.

4.4 Визначаємо максимальну потужність, що розсіюється колекторним переходом кожного з транзисторів VT3 і VT4:

Р_{к_max_розр}(VT_3,4) = . (4.4)

4.5 Вибираємо тип транзисторів VT3 і VT4. Критерії вибору:

U_{ке_max}> Е_к;

Р_{к_max}> Р_{к_max_розр}(VT_3,4);

I_{к_max} > I_{к_max_розр}(VT_3,4);

fh_21б ³2F_в.

Зворотний струм колектора I_кбо вибраного транзистора має бути мінімальний.

При виборі типу транзисторів VT3 і VT4 слід ураховувати зниження граничної потужності, що розсіюється транзистором при підвищенні температури довкілля.

Гранична потужність, що розсіюється колекторним переходом транзистора, визначається

без тепловідводу:

Р_{к_max_розр}(VT_3,4) = ; (4.5)

зтепловідводом:

Р_{к_max_розр}(VT_3,4) = , (4.6)

де Т_{п_max}— максимальнатемпературапереходу;

Т_ДОВ— температурадовкілля;

R_{т. к-Д}— тепловий опір перехід- довкілля;

R_{т. п-к} — тепловий опір перехід- корпус.

При установці транзистора на ізолюючій прокладці слід ураховувати погіршення відведення тепла через радіатор. При цьому гранична потужність, що розсіюється колекторним переходом транзистора, зменшується.

4.6 Знаходимо максимальне значення колекторного струму транзисторів VT1 і VT2:

I_{к_max_розр}(VT_1,2)= , (4.7)

де I_{к_max_розр}(VT_3,4)–максимальне значення колекторного струму транзисторів VT3 іVT4;

h_{21Е_min}(VT_3,4)— мінімальне значення коефіцієнта передачі струму транзисторівVT3 і VT4.

Опори резисторів R₂ таR₃ вибираються у межах (100...1000 Ом).

4.7Визначаємо потужність, що розсіюється кожним з транзисторів:

Р_{к_max_розр}(VT_1,2)= . (4.8)

4.8 Виходячи з отриманого значення I_{к_max_розр}(VT_1,2), вибираємо транзистори: VT1 типу p-n-p, а VT2 типу n-p-n. При цьому необхідно, аби виконувалися умови:

U_{кЕ_max}> Е_к;

Р_{к_max}> Р_{к_max_розр}(VT_1,2);

I_{к_max} > I_{к_max_розр}(VT_1,2);

fh_21б ³2F_в.

Зворотний струм колектора попередніх транзисторів I_кбо VT1 і VT2 має бути мінімальний.

4.9 Знайдемо ємність розділового конденсатора Ср:

С_р ³ . (4.9)

4.10 Опір резистора R1 вибирають порядка 10 кОм.

4.11 Визначимо частотні спотворення каскаду в області низьких і високих частот:

М_нрозр= [ 1+ 1/(2 ∙ F_н ∙R_н ∙ С_р) ²] ½; (4.10)

М_врозр(VT_1,2)= [ 1+(F_в/ fh_21Е(VT_1,2))²] ½ ; (4.11)

М_врозр(VT_3,4)= [ 1+(F_в/ fh_21Е(VT_3,4))²] ½ ;

М_врозр= М _врозр(VT_1,2)∙ М _врозр(VT_3,4). (4.12)

Значення, отримані в (4.10) і (4.12), не повинні перевищувати заданих в умові значень М_в і М_н.