I ес – струм емітера складеного транзистора в режимі спокою.

При використанні емітерного повторювача як вхідного каскада для підвищення вхідного опору і зниження рівня шумів напруги U_кес(_VT2) вибирають не більше 2...3 В, а струм спокою емітера I _ес ≈ 0,5 мА.

2.2 Для визначення опорів R1 і R2 задамося струмом, що проходить через подільник, який утворено цими резисторами, I_д = 0,1 мА. Тоді:

R₁ + R₂ = Е_к/I_д. (2.2)

Задавшись R2 ≈ 3R1, розраховуємо величини опорів подільника R1 і R2, вибираємо стандартні значення, визначаємо розсіювану ними потужність, і конкретний тип резистора.

Резистор R3 має бути високоомним, аби не зменшувати вхідний опір каскаду. Зазвичай R3 = (2...3) МОм. Для реґулювання підсилення його вибирають змінним, глибина реґулювання визначається за формулою:

N(дБ) = 20·1g((R₂+ R₃)/ R₂). (2.3)

2.3 Ємність розділового конденсатора на вході підсилювача Ср1:

Ср₁³ . (2.4)

Вибираємо стандартне значення ємності.

2.4 Величина вхідного опору каскаду на складеному транзисторі:

R_вх ≈ h_11к +h_21к²+ R_екв, (2.5)

де R_екв – еквівалентний опір навантаження емітерного повторювача дорівнює:

R_екв = . (2.6)

Необхідні значення параметрів h_11к і h_21к наведено в табл. 3.