Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является




Читайте также:
  1. I. Конструктивно-технологические особенности изготовления деталей информационных радиоэлектронных средств (ИРЭС) и обеспечение качества их изготовления
  2. R технология изготовления и характер продукции, организация и тип производства
  3. R является коммерческой тайной предприятия
  4. Алгоритмы метода Монте-Карло для решения интегральных уравнений второго рода.
  5. Аллопатическая медицина не научна, так как сама не является наукой
  6. Аппаратчик изготовления резиновых нитей
  7. Б)более точным является определение прогиба балки по формуле, представляющей собой приближённый интеграл, полученный при разбивке длины балки на 6 равных частей
  8. Б, как всегда, в дамской комнате. На горизонте появляется С
  9. БАРИН ПОЯВЛЯЕТСЯ СНОВА
  10. Библиографическое описание является основной частью библиографической записи (БЗ), ее обязательным элементом.

1) кремний;

2) германий;

3) арсенид галлия;

4) керамика.

 

110.Эпитáксия – это технологический процесс

1) наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку;

2) внедрения примесей в полупроводниковый материал;

3) искусственного окисления кремния.

 

111.Термическое окисление – это

1) процесс наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку;

2) окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния;

3) введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник.

 

112.Фотолитография – это

1) процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек;

2) введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник;

3) растворение полупроводникового материала с помощью жидкостного или сухого травителя.

 

113.Легирование – это

1) растворение полупроводникового материала с помощью растворителя;

2) окисление кремния с помощью создания защитной пленки двуокиси кремния;

3) операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник.

114.Изоляция интегрального п-р-п транзистора п-р переходом

1) состояние, когда потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры;

2) состояние, когда п-р-п транзистор создается внутри объема полупроводника, изолированного от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния;

3) замена полупроводниковой подложки на сапфировую.

 

115.Интегральный транзистор п-р-п – это биполярный транзистор

1) интегральных полупроводниковых микросхем;

2) с высоким коэффициентом ;

3) с большим количеством эмиттеров;

4) большим количеством коллекторов.

 

116.Недостаток интегральных п-р-п биполярных транзисторов

1) большая площадь, занимаемая им в микросхеме;

2) появление в его структуре паразитного р-п-р транзистора;

3) появление в его структуре паразитной емкости - коллектор-подложка.

 

117.Супербета – транзистор, это интегральный транзистор с

1) высоким коэффициентом передачи (до 5000);

2) большой площадью коллекторного периода;

3) малой площадью коллекторного перехода.



 


Дата добавления: 2015-09-14; просмотров: 4; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.008 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты