Управляющая способность ПЗС зависит от

1) величины зарядового пакета;

2) емкости диэлектрика;

3) количества затворов;

4) систем согласования ПЗС по входу и выходу.

Время хранения зарядового пакета в одном элементе ПЗС зависит от

1) максимальной тактовой частоты;

2) минимальной тактовой частоты;

3) величины зарядового пакета;

4) амплитуды управляющего напряжения.

Время переноса зарядового пакета в ПЗС зависит от

1) максимальной тактовой частоты;

2) минимальной тактовой частоты;

3) коэффициента потерь;

4) степени согласования ПЗС по входу и выходу.

Для создания магнитных элементов в микроэлектронике применяются

1) ферритовые кольца;

2) ферритовые и аксиферовые сердечники;

3) тонкие магнитные пленки;

4) сердечники из легированной стали.

Важным свойством магнитных пленок является

1) намагничивание;

2) размагничивание;

3) перемагничивание;

4) намагничивание, размагничивание и перемагничивание.

194.Магнитные домены – это

1) крупные области магнитной пленки с упорядоченным намагничиванием;

2) микроскопические области магнитной пленки с самопроизвольным намагничиванием;

3) области магнитостатических ловушек;

4) области, соответствующие элементу памяти.

Цилиндрические магнитные домены (ЦМД) образуются за счет воздействия на магнитную пленку внешнего

1) магнитного поля;

2) электрического поля;

3) электромагнитного поля;

4) электростатического поля.

При воздействии более сильного внешнего магнитного поля домены должны

1) уменьшаются;

2) увеличиваются;

3) не изменяются;

4) исчезают совсем.

Устройством для создания цилиндрических магнитных доменов является

1) проволочная петля с током, нанесенная на поверхность основной магнитной пленки;

2) диэлектрическая тонкая пленка, нанесенная на поверхность основной магнитной пленки;

3) перфорированная металлическая поверхность, нанесенная на поверхность магнитной пленки;

4) перфорированная магнитная пленка, нанесенная на поверхность магнитной пленки.

198.В запоминающих устройствах цифре "1" соответствует

1) отсутствие цилиндрических магнитных доменов;

2) наличие цилиндрических магнитных доменов;

3) образование новых цилиндрических магнитных доменов;

4) началу записи информации.

199.В запоминающих устройствах цифре "0" соответствует

1) отсутствие цилиндрических магнитных доменов;

2) наличие цилиндрических магнитных доменов;

3) началу перемещения цилиндрических магнитных доменов в нужном направлении;

4) началу считывания информации.