Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



В качестве тонкопленочных резисторов интегральных ИМС используются




Читайте также:
  1. Алгоритмы метода Монте-Карло для решения интегральных уравнений второго рода.
  2. Большая часть мероприятий по продвижению, ко­торые связаны с раздачей товаров в качестве об­разцов, оценивается количественно.
  3. В качестве резюме
  4. В качестве транспортного средства могут использоваться
  5. В функциональной электронике используются
  6. Высококачественное обслуживание
  7. Глава 4. ПРОСТРАНСТВЕННОЕ КОЛИЧЕСТВО И КАЧЕСТВЕННОЕ ПРОСТРАНСТВО
  8. Глава 5. КАЧЕСТВЕННЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ
  9. Глава 5. Язык любви №2: Качественное время

1) полоски металла, сплава металлов, кермет (смесь частиц металла и диэлектрика);

2) полоски металла;

3) полоски сплава металла;

4) полоски кермета.

Диэлектрическим слоем тонкопленочных конденсаторов служит

1) окислы полупроводниковых материалов;

2) окись железа;

3) окись алюминия.

 

Обкладки тонкопленочных конденсаторов изготавливаются

1) из золота;

2) из серебра;

3) из алюминия.

Невозможно изготовить в структуре полупроводниковой ИМС

1) резистор;

2) конденсатор;

3) индуктивность.

В виде пленок гибридных интегральных микросхем изготавливаются

1) резисторы, индуктивности;

2) резисторы;

3) индуктивности.

 

Полевые транзисторы интегральных микросхем могут использоваться в качестве

1) усилителей и переменных резисторов;

2) усилителей;

3) переменных резисторов.

 

Исходным материалом для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является

1) германий;

2) кремний;

3) арсенид галлия.

 

На частотные свойства биполярных транзисторов оказывает большое влияние

1) емкость эмиттерного перехода;

2) емкость коллекторного перехода;

3) обе емкости влияют одинаково.

 

На основе эмиттерной области биполярных транзисторов ИМС изготавливают резисторы

1) 3÷100 Ом;

2) 100÷150 Ом;

3) 150÷200 Ом;

4) 200÷250 Ом.

 

Максимальное сопротивление пинч-резисторов составляет

1) 50÷100 Ом;

2) 100÷150 Ом;

3) 150÷200 Ом;

4) 200÷300 Ом.

 

139.Оптимальными вариантами использования биполярных транзисторов в качестве диодов в интегральных микросхемах является соединение биполярного транзистора

1) БК-Э, Б-Э;

2) БЭ-К, Б-К;

3) Б-К, Б-ЭК.

 

140.В качестве стабилитрона в полупроводниковых интегральных микросхемах используется вариант соединения биполярного транзистора

1) Б-Э;

2) Б-К;

3) Б-ЭК;

4) БЭ-К.

 

Лучшими частотными свойствами обладают биполярные транзисторы интегральных микросхем

1) типа р-п-р;

2) типа п-р-п;

3) частотные свойства одинаковы.

 

 

Раздел 8

Операционным называется усилитель электрических сигналов для выполнения операций



1) сложения;

2) вычитания;

3) умножения;

4) сложения, вычитания и умножения.

 

Операционные усилители используются для построения схем

1) генераторов;

2) схем телевизионной развертки;

3) стабилизаторов напряжения и тока;

4) генераторов, схем телевизионной развертки и стабилизаторов напряжения и тока.

 

Операционные усилители обладают

1) малым входным и большим выходным сопротивлением;

2) малым выходным и большим входным сопротивлением;

3) большим входным и малым выходным сопротивлением;

4) малым входным и выходным сопротивлением.

 


Дата добавления: 2015-09-14; просмотров: 4; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты