Интегральный транзистор с барьером Шоттки предназначен для

1) улучшения быстродействия биполярного транзистора;

2) увеличение допустимого напряжения на коллекторном переходе;

3) уменьшение емкости перехода коллектор-база.

Многоэмиттерный транзистор

1) совокупность транзисторов с соединенными базами и соединенными коллекторами;

2) транзистор, имеющий до 8 эмиттеров;

3) совокупность транзисторов с соединенными эмитттерами.

120.Интегральный горизонтальный р-п-р транзистор – это

1) транзистор, в котором происходит перемещение дырок в горизонтальном направлении;

2) бездрейфовый интегральный транзистор;

3) транзистор, в котором области эмиттера, базы и коллектора расположены в одной плоскости.

121.Интегральные диоды полупроводниковых интегральных схем – это диоды

1) изготавливаемые специально в структуре полупроводника;

2) создаваемые на основе структуры интегральных транзисторов;

3) Шоттки.

Использование интегральных биполярных транзисторов в качестве диодов возможно в

1) двух вариантах;

2) трех вариантах;

3) четырех вариантах;

4) пяти вариантах.

Технология изготовления активных элементов интегральных микросхем сложнее

1) при использовании биполярных транзисторов;

2) при использовании полевых транзисторов;

3) одинакова.

Диффузионные резисторы интегральных микросхем изготовляются

1) одновременно с изготовлением коллекторной области;

2) одновременно с изготовлением эмиттерной области;

3) одновременно с изготовлением эмиттерной или базовой области.

Пинч-резисторы это

1) резисторы, созданные на основе области базового слоя;

2) резисторы, имеющие вольт-амперную характеристику, сходную с ВАХ полевого транзистора;

3) резисторы, выполненные в виде полоски сплава на поверхности полупроводника.

126.Диффузионные конденсаторы интегральных микросхем – это конденсаторы, для формирования которых используется

1) коллекторный переход ИМС

2) эмиттерный переход ИМС;

3) любой переход интегральных микросхем.

127.Гибридные интегральные микросхемы – это

1) полупроводниковые схемы;

2) микросхемы, все элементы которых изготовлены в виде пленок.

3) микросхемы, пассивные элементы которых изготовлены в виде пленок, а активные элементы – навесные.

Подложки гибридных интегральных схем служат

1) для размещения в их объеме активных и пассивных элементов;

2) диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов и для теплоотвода;

3) для придания жесткости конструкции интегральной микросхемы.