Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Обработка результатов измерений. Построить график вольтамперной характеристики исследованного диода и вычислить его коэффициент выпрямления




Построить график вольтамперной характеристики исследованного диода и вычислить его коэффициент выпрямления, равный отношению прямого тока к обратному при одном напряжении как для прямого так и для обратного токов.

Контрольные вопросы

1. В чём заключается отличие собственной и примесной проводимости полупроводников?

2. Какие примеси называют донорными и какие акцепторными?

3. Почему примесные энергетические уровни донорных атомов находятся вблизи дна зоны проводимости?

4. Что такое эффективная масса электрона в кристалле?

5. Что сильнее влияет на связь электрона с примесным атомом: изменение диэлектрической проницаемости или эффективной массы?

6. Какие примеси называются донорными, акцепторными?

7. Где расположен уровень Ферми в собственном полупроводнике, в донорном, в акцепторном?

8. Почему, находясь на акцепторном уровне электроны не могут перемещаться по кристаллу?

9. Почему движение электронов на уровнях вблизи потолка валентной зоны эквивалентно движению положительных зарядов?

10. Почему влияние легирования на электрические свойства полупроводника существенно только в определенном температурном интервале? Чем определяются его границы?

11. Какие носители заряда называют основными и неосновными?

12. Какие процессы должны были бы протекать на границе раздела при приведение в идеальный контакт двух полупроводников с различным типом проводимости?

13. Чем определяется ширина областей объемного заряда в полупроводнике в окрестности p-n-перехода?

14. Объясните природу возникновения внутреннего поля в области p-n-перехода.

15. Почему сопротивление области полупроводника в пределах существования объемного заряда велико?

16. Изобразите графически влияние внешнего поля на величину объемного заряда и распределение потенциала в окрестности p-n-перехода.

17. Почему потенциал электрона в р-области меньше, чем в n-области, а потенциальная энергия – больше?

18. Нарисуйте примерный вид энергетической диаграммы полупроводника в окрестности p-n-перехода в равновесном состоянии, в открытом состоянии, в закрытом состоянии.

19. Какова природа и направление генерационной составляющей электронного тока через p-n переход?

20. Каково направление и природа рекомбинационной составляющей электронного тока через p-n переход?

21. В каком случае генерационный и рекомбинационный токи равны?

22. Выведите соотношение, аналитически описывающее ВАХ диода.



Поделиться:

Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 98; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2024 год. (0.011 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты