Идеальная МДП-структура

На рис. 4.1приведены энергетические зонные диаграммы МДП-структур со следующими допущениями:

-диэлектрик считается идеальным, т.е. при любых смещениях по постоянному току через него не протекает тока;

- полупроводниковая подложка легирована равномерно;

- не существует захваченных зарядов на границе раздела диэлектрик - полупроводник;

- разность работ выхода металла и полупроводника равна нулю.

Разность работ выхода (в единицах потенциала) металл - полупроводник (см. рис.4.1)

/2q- )= для n – типа;	(4.1)
/2q+ для p – типа,	(4.2)

где — разность работ выхода металл - собственный полупроводник;

; - концентрация примеси в полупроводнике.

Рисунок 4.1– Энергетические зонные диаграммы идеальных МДП-структур при :

а - полупроводник n-типа; б - полупроводник р-типа

Если в идеальной МДП-структуре к металлическому полевому электроду не прикладывается напряжение , то выполняется условие плоских зон, т.е. проводимость полупроводникового слоя у границы раздела такая же, как и в объеме полупроводника.