Полевой транзистор со встроенным каналом

Структура транзистора приведена на рисунке 3.3.

Здесь р⁺ – область с повышенной концентрацией примесей; Д – диэлектрик; Ме металл; И – исток; С– сток; З – затвор.

При U_си ≠ 0 и = 0 течет ток стока I_с.

При <0 в канал притягиваются дырки. Это режим обогащения, ток I_с растет.

При >0 от затвора отталкиваются дырки – режим обеднения, ток I_с снижается.

3.2.2 Транзистор с индуцированным каналом (см. рисунок 3.4).

В этом транзисторе отсутствует структурно выраженный канал.

При Uз =0 , , так как отсутствует проводимость между стоком и истоком. Здесь имеет место два встречно включенных р-п перехода.

При Uз > 0 электроны притягиваются к поверхности . Режим обеднения не применяется. При U_з<0 к поверхности притягиваются дырки и образуется индуцированный канал К, по которому течет ток.

Наиболее широко используется транзистор с индуцированным р-каналом из-за простоты изготовления.

Полевые транзисторы успешно применяют в различных усилительных и переключающих устройствах, их часто используют в сочетании с биполярными транзисторами. Основными преимуществами полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы, простота изготовления, отсутствие в открытом состоянии остаточного напряжения между стоком и истоком.