Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника


Статические характеристики транзистора с общим эмиттером




Входной характеристикой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока Iб от напряжения Uбэ, Iб =f(Uбэ) при заданном напряжении Uкэ (см.рисунок 2.5,а). При Uкэ =0 тепловой ток Iк0 в цепи коллектора отсутствует и зависимость IБ =f(Uбэ) соответствует ВАХ р-n–перехода, включенного в прямом направлении. При Uкэ>0 в цепи коллектора появляется ток -Iк0, направленный навстречу току Iб. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток Iб= Iк0, приложив соответствующее напряжение Uбэ. Это приводит к смещению входной характеристики вправо вниз.

 

 

Выходная характеристика–это зависимость Iк = f(Uкэ) при заданном токе Iб (рисунок 2. 5,б);

а) кривая совпадает с обратной ветвью p-n перехода;

б) кривая при Iб = 0 соответствует режиму с оборванной базой. Через транзистор течет ток Iк0с – сквозной ток коллектора. Iк0С > Iк0, т.к. течет не только I к0, но и Iэр.

Ток коллектора для схемы с ОЭ Iк = ;

Схема с ОЭ универсальна, имеет усиление по току, напряжению и мощности. Недостатками схемы с ОЭ являются сильная зависимость параметров от температуры, хуже линейность характеристик и ниже рабочая частота. В справочниках для биполярных транзисторов, как правило, приводятся так называемые малосигнальные h-параметры (см.приложение Б).


Поделиться:

Дата добавления: 2015-02-09; просмотров: 185; Мы поможем в написании вашей работы!; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2023 год. (0.006 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты