Статические характеристики транзистора с общим эмиттером

Входной характеристикой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость входного тока I_б от напряжения U_бэ, I_б =f(U_бэ) при заданном напряжении U_кэ (см.рисунок 2.5,а). При U_кэ =0 тепловой ток I_к0 в цепи коллектора отсутствует и зависимость I_Б =f(U_бэ) соответствует ВАХ р-n–перехода, включенного в прямом направлении. При U_кэ>0 в цепи коллектора появляется ток -I_к0, направленный навстречу току I_б. Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I_б= I_к0, приложив соответствующее напряжение U_бэ. Это приводит к смещению входной характеристики вправо вниз.

Выходная характеристика–это зависимость I_к = f(U_кэ) при заданном токе I_б (рисунок 2. 5,б);

а) кривая совпадает с обратной ветвью p-n перехода;

б) кривая при I_б = 0 соответствует режиму с оборванной базой. Через транзистор течет ток I_к0с – сквозной ток коллектора. I_к0С > I_к0, т.к. течет не только I _к0, но и I_эр.

Ток коллектора для схемы с ОЭ I_к = ;

Схема с ОЭ универсальна, имеет усиление по току, напряжению и мощности. Недостатками схемы с ОЭ являются сильная зависимость параметров от температуры, хуже линейность характеристик и ниже рабочая частота. В справочниках для биполярных транзисторов, как правило, приводятся так называемые малосигнальные h-параметры (см.приложение Б).