Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты




На низких частотах распределение концентрации электронов в базе равномерно уменьшается от эмиттера к коллектору.

На высоких частотах идет диффузия носителей не только к коллектору, но и в обратную сторону, т.е. к эмиттеру. Коэффициент передачи тока уменьшается. Частота , при которой коэффициент передачи тока a уменьшается в раз (3 дБ) по сравнению с на низких частотах, называется граничной усиления (см. рисунок 2.6).

В дрейфовом транзисторе, перенос неосновных носителей заряда в базе происходит в основном за счет дрейфа в электрическом поле. Поле же создается из-за неравномерной начальной концентрации примесей в базе, экспоненциально уменьшающейся от эмиттера к коллектору. Например, в n-p-n-транзисторе из-за градиента концентрации акцепторной примеси дырки диффундируют от эмиттерного перехода к коллекторному. Создается избыток положительных зарядов у КП за счет дырок, а у ЭП создается нескомпенсированный заряд из отрицательных ионов. В базе создается электрическое поле Е, ускоряющее движение электронов от эмиттера к коллектору со скоростью в 2…5 раз большей, чем диффузия. Граничная частота усиления транзистора увеличивается в 2…5 раз.


Дата добавления: 2015-02-09; просмотров: 24; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2022 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты