Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты

Читайте также:
  1. Алкогольная зависимость. Причины. Патогенез. Эпидемиология. Особенности у женщин и подростков. Профилактика. Препараты для лечения алкогольной зависимости.
  2. Анализ динамического режима работы биполярного транзистора по схеме включения с общим эмиттером
  3. Асинхронный преобразователь частоты
  4. Б. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ДИНАМИЧЕСКОЙ ВЯЗКОСТИ
  5. Величина коэффициента запаса (Кз).
  6. Вернёмся к решению однородного линейного Д.У. – II с постоянными коэффициентами
  7. Взаимодействие как взаимозависимость: теория взаимозависимости Тибо и Келли.
  8. Взаимозависимость — противоречивые тенденции
  9. Взаимосвязь коэффициента эластичности спроса по цене и общей выручки
  10. Власть и зависимость

На низких частотах распределение концентрации электронов в базе равномерно уменьшается от эмиттера к коллектору.

На высоких частотах идет диффузия носителей не только к коллектору, но и в обратную сторону, т.е. к эмиттеру. Коэффициент передачи тока уменьшается. Частота , при которой коэффициент передачи тока a уменьшается в раз (3 дБ) по сравнению с на низких частотах, называется граничной усиления (см. рисунок 2.6).

В дрейфовом транзисторе, перенос неосновных носителей заряда в базе происходит в основном за счет дрейфа в электрическом поле. Поле же создается из-за неравномерной начальной концентрации примесей в базе, экспоненциально уменьшающейся от эмиттера к коллектору. Например, в n-p-n-транзисторе из-за градиента концентрации акцепторной примеси дырки диффундируют от эмиттерного перехода к коллекторному. Создается избыток положительных зарядов у КП за счет дырок, а у ЭП создается нескомпенсированный заряд из отрицательных ионов. В базе создается электрическое поле Е, ускоряющее движение электронов от эмиттера к коллектору со скоростью в 2…5 раз большей, чем диффузия. Граничная частота усиления транзистора увеличивается в 2…5 раз.


Дата добавления: 2015-02-09; просмотров: 24; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Статические характеристики транзистора с общим эмиттером | Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2019 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты