![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Допустим а) если б) если напряжение Основными характеристиками транзистора являются стокозатворная Ic = f(Uзи) при Uси = const (см. рисунок 3.2,а) и стоковые или выходные характеристики Ic = f(Ucи) при Uзи = const (см. рисунок 3.2,б). На выходных характеристиках можно выделить две области: область 1 крутого изменения тока (линейный омический участок характеристики) и область П (нелинейный пологий, рабочий участок), соответствующую режиму насыщения. При увеличении Ucи ток стока увеличивается по закону Ома. С некоторого момента (Ucи = Ucи нас) наступает насыщение (в точке А). Наступает своеобразное динамическое равновесие: увеличение тока стока вызывает увеличение падения напряжения на р-п переходе и сужение канала, которое уменьшает ток стока. Сужение идет в сторону стока. Сечение при этом минимально. Последующее увеличение Ucи не уменьшает сечение, а увеличивает длину узкого участка сечения, называемого «коридор» или «горловина». Поэтому ток стока постоянный. В точке В напряжение стока достигает напряжения пробоя перехода. При дальнейшем увеличении Ucи увеличивается ток стока, и прибор может выйти из строя. При увеличении Uзи (следовательно, при меньших первоначальных сечениях) процессы аналогичны, но сужение канала наступает раньше, это приводит к более раннему выходу на участок насыщения. Ток стока ограничен на более низком уровне.
|