Приборы с зарядовой связью

Прибор с зарядовой связью (ПЗС) имеет МДП-структуру. Принцип действия основан на переносе зарядов (зарядовых пакетов), т.е. на генерации и накоплении неосновных носителей в потенциальных ямах и продвижении этих носителей вдоль границы полупроводник-диэлектрик вместе с потенциальной ямой.При подаче порогового напряжения U_{зи пор} = 2…4 В индуцируется равномерный обеднённый слой под диэлектриком.

При напряжении хранения U_ХР=10…15 В образуется более глубокий обеднённый слой под затвором – потенциальная яма, туда стекаются неосновные носители от истока.

Состояние такого обеднения областей под затворами сохраняется в течение так называемого времени релаксации – времени, которое необходимо для перехода приповерхностного слоя под затворами из состояния обеднения в состояние инверсии.

На следующем такте – такте переноса зарядового пакета – происходит смена напряжений затворов – режим передачи заряда от одного затвора к следующему вдоль цепочки. К следующему соседнему затвору прикладывается более низкое напряжение U_перен=20…25В, под которымобразуется более глубокая потенциальная яма. Заряд перетекает туда и т.д..

Таким образом, ПЗС – это прибор, который хранит и передает введенную в него информацию в виде зарядовых пакетов.

Условные обозначения транзисторов приведены в таблице 3.1

Т а б л и ц а 3.1

Наименование прибора	Обозначение
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом с n-каналом
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом с p-каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным n‑каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным p‑каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным n‑каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным p‑‑каналом