Бравенің торы

Кристалло-графикалық жүйе	Элементарлы ұяшықтардың параметрлері	Элементарлы ұяшықтардың пішіні
Куб тәрізді	a = b = c α = β = γ = 90°
Тетрогоналды	a = b c α = β = γ = 90°
Гексогоналды	a = b c α = β = 90° γ = 120
Тригоналды	a = b = c α = β = γ 90°
Ромб тәрізді	a b c α = β = γ = 90°
Моноклинді	a b c α = γ = 90° β 90
Триклинді	a b c α β γ = 90°

Кристалдардағы ақаулар. Осы кезге дейін біз кристалдарды мінсіз құрылымды, барлық бөлшектер белгілі геометриялық орындарда орналасқан деп ойладық. Шын мәнісінде, бөлшектердің тербелуі мен орын ауыстыруына байланысты кристалдық торларда нүктелі ақаулар пайда болады. Мұндай ауытқулар энтропияның артуына әкеп соғады, энтропия көбейген сайын температура да жоғарлайды. Басқа жағынан қарағанда, ақау пайда болу үдерісі үшін энергия шығымы қажет, сондықтан белгілі концентрациялы ақаулар қолданылады, сәйкесінше минимум Гиббс энергиясы шығымдалады. Ақаулардың концентрациясы кең ауқымда кристалдардың табиғатына тәуелді өзгереді өте аз ( %) үлкенге қатысты ( 1%).

Түптеп келгенде, жеке бөлшектердің ауытқуы нәтижесінде келесі ақаулар пайда болуы мүмкін:

· Вакансии (V_X) атомдардан бос кристалды торлар түйіні (сурет 4.28, а);

· Түйінаралық атомдар ( X_i) бос кристалдық торлардан ауысқан атомдар (сурет 4.28, б);

· Антиқұрылымды ақаулар түрлі типтегі атомдардың орын алмастыруы. Мысал ретінде, араласқан шпинелді алуға болады.

· Ақаулар кластері біріккен бірнеше ақаулар.

Вакансии мен түйінаралық атомдар екі негізгі әдістермен түзілуі мүмкін.

Шоттки бойынша ақаулар: атомдар әдеттегі орнынан жоғарыға ауысады, нәтижесінде торда вакансия пайда болады. Мұндай ақау түрі, мысалы NaCl кристалына тән ( сурет 4.28, а) .

Френкель бойынша ақаулар: атом иемденген орнынан вакансия түзіп, түйінаралық орынға ауысады. Мысалы, күміс хлориді кристалында түйінаралық күміс ( Ag_i) және вакансия ( V_Ag) бар (4.28 – сурет).

Рентгендік дифракция әдісі.Кристалдық заттарды зерттеудің ең кең таралған әдістері рентгенографиялық дифракция, электронографиялық және нейтронографиялық әдістер. Бұл әдістер кристалдардағы атомаралық қашықтықтағы дифракционалды құбылыстарда сәулеленудің шағылысу кезіндегі толқын ұзындығына негізделген. Дифракциялық суретте максимум көрінеді мына жағдайда: 2dsin = n

сәулелену толқынының ұзындығы; жазықтыққа түсетін сәуленің бұрышы;d жазықтықаралық қашықтық ( кристалдардағы атомдар түзген екі жазықтық арасындағы қашықтық). Бұл Брэгг Вульфа теңдеуі деп аталады.

Рентгенографиялық зерттеуде монокристалдар мен ұсақ түйірлі ұнтақтар қолданылады. Ұнтақтың дифрактограммасы әртүрлі қарқындылықтағы дифракционды максимумға сай келетін сызық- тар жиынтығы. Әрбір шың нақты жазықтықаралық қашықтықты анықтайды, ал қарқындылық осы қабаттағы атомдар типіне және санына сай келеді. Кристалдық зат өзіне тән дифрактограммаға ие. Химиялық қосылыстардың рентгенограммасы JC PDS картотека- сында жинақталған, мұнда он мыңға жуық бейорганикалық қосылыстар жайлы мәліметтер жинақталған. Монокристалдардың рентгенограммасы әртүрлі қарқындылықта симметриялы орналасқан нүктелер жиынтығы.