![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Методы наблюдения дислокаций РїРѕ ямкам фигур химического травления. Рлектронная РјРёРєСЂРѕСЃРєРѕРїРёСЏ.Р’ последнее время СЂРѕСЃС‚ потребности РІ кристаллах СЃ повышенным структурным совершенством для промышленных целей способствовал модификации Рё разработке множества методов выявления дефектов РІ кристаллах. ВПреимущества Рё недостатки известных РЅР° сегодняшний день методик, которые обычно используются для изучения дефектов.Среди перечисленных методов микроскопического исследования поверхности кристаллов наиболее широко применяется избирательное травление поверхности благодаря надежности, быстроте Рё простоте. Для выявления дислокационной РїСЂРёСЂРѕРґС‹ кристаллов РІ настоящее время широко используется избирательное травление РёС… поверхности. Р’ РѕСЃРЅРѕРІРµ такого РїРѕРґС…РѕРґР° лежит СЃРІСЏР·СЊ между ямками травления Рё выходами РЅР° эту поверхность дефектов – винтовых Рё краевых дислокаций, точечных дефектов, границ зерен РІ РјРѕРЅРѕ- Рё поликристаллах. Поскольку РІ области дефектов РёРѕРЅС‹, атомы или молекулы обладают повышенной химической активность, то РІ этих местах РІ первую очередь Рё начинается растворение РЅР° поверхности кристалла. РЎ помощью подходящих травителей можно выявить дислокационную структуру РІ кристаллах, определить положение двойниковых границ, определить реальную симметрию кристаллов, которую можно выявить РїРѕ фигурам растворения (травления). C помощью травления можно повысить прочность материалов, растворяя нарушенные слои поверхности. Так же травление широко используется РїСЂРё обработке искусственных стекол для матирования Рё придания РёРј необходимой формы, создания РЅР° РёС… поверхности орнаментов. Таким образом, области применения травления обширны Рё разнообразны. Рменно поэтому разработка методов Рё изучение материалов для химического травления поверхностей занимают немаловажное место РІ такой области знаний как материаловедение.РЛЕКТРРћРќРќРђРЇ РњРРљРРћРЎРљРћРџРРЇ, совокупность электронно-зондовых методов исследования микроструктуры твердых тел, РёС… локального состава Рё микрополей (электрических, магнитных Рё РґСЂ.) СЃ помощью электронных РјРёРєСЂРѕСЃРєРѕРїРѕРІ (РРњ) - РїСЂРёР±РѕСЂРѕРІ, РІ которых для получения увелич. изображений используют электронный пучок. Рлектронная РјРёРєСЂРѕСЃРєРѕРїРёСЏ включает также методики подготовки изучаемых объектов, обработки Рё анализа результирующей информации. Различают РґРІР° главных направления электронной РјРёРєСЂРѕСЃРєРѕРїРёРё: трансмиссионную (просвечивающую) Рё растровую (сканирующую), основанных РЅР° использовании соответствующих типов РРњ. РћРЅРё дают качественно различную информацию РѕР± объекте исследования Рё часто применяются совместно. Рзвестны также отражательная, эмиссионная, оже-электронная, лоренцова Рё иные РІРёРґС‹ электронной РјРёРєСЂРѕСЃРєРѕРїРёРё, реализуемые, как правило, СЃ помощью приставок Рє трансмиссионным Рё растровым РРњ. 34.Явления РІ контактах РІ полупроводниках. Запорный слой (p-n переход). Контактные явления РЅР° границе металл-полупроводник Рё полупроводник-полупроводник изучены достаточно хорошо Рё используются для изготовления РґРёРѕРґРѕРІ Шоттки Рё электронно-дырочных РґРёРѕРґРѕРІ Рё транзисторов. Само явление электронно - дырочного перехода лежит РІ РѕСЃРЅРѕРІРµ работы большинства полупроводниковых устройств. Область РЅР° Рнергия дыры - наоборот. Таким образом , вблизи pn - перехода образуются противоположные РїРѕ знаку пространственные заряды, создавать электрическое поле , направленное противоположно направлению диффузии РёР· n - области РІ p - область . Поэтому это поле принято называть потенциальным барьером. Поскольку здесь створюетья разность потенциалов , поэтому основным носителям заряда будет труднее пройти через pn - переход Рё здесь будет повышенное сопротивление . Поэтому pn - переход еще называют запорным слоем. Если присоединить полупроводник СЃ p n - переходом Рє источнику питания , то ситуация изменится. Сначала подключим n - полупроводник Рє отрицательному полюсу источника питания , Р° p - полупроводник РІ положительного ( СЂРёСЃ.7.5 ) . РџСЂРё этом напряженность внешнего электрического поля будет противоположной напряженности внутреннего электрического поля , РІ результате чего РѕРЅРѕ ослабнет. Поэтому увеличится количество основных носителей заряда , проходящих pn - переход. Вследствие этого энергия электронов РІ n - области увеличится , Р° Р° РІ СЂ - области уменьшится , то есть снижается потенциальный барьер. РџСЂРё этом увеличится сила тока , Р° сопротивление будет уменьшаться СЃ увеличением напряжения. Такой переход называется прямым. Если изменить полярность источника питания, то ситуация изменится (СЂРёСЃ.7.6). Рлектроны Р—n-области, Рё дырки СЃ p-области Р±СѓРґСѓС‚ двигаться РѕС‚ границы РґРІСѓС… полупроводников РІ противоположные стороны. Вследствие этого запорный слой обеднеет РЅР° основные носители заряда Рё его сопротивление возрастет. РўРѕРє через pn-переход будет очень малым, потому переноситься неосновными носителями заряду.Такий переход называется обратным. Рти процессы наглядно иллюстрирует вольтамперную характеристику p n-перехода (СЂРёСЃ.7.7). РџСЂРё обратном переходе ток РІ некоторых пределах является величиной постоянной. РќРѕ РїСЂРё дальнейшем увеличении напряжения, РєРѕРіРґР° U>UРїСЂРїСЂРѕРёСЃС…РѕРґРёС‚ РїСЂРѕР±РѕР№ p n-перехода. Рто РїСЂРѕРёСЃС…РѕРґРёС‚ потому, что електрони освобождаються РѕС‚ ковалентных связей Рё РїСЂРѕС…РѕРґСЏС‚ через p n-переход. Свойства p n-перехода зависят РѕС‚ РјРЅРѕРіРёС… условий: температуры, освещения Рё РґСЂ.
|