Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Диффузионная емкость




Читайте также:
  1. Внутренняя энергия и количество теплоты. Теплоемкость.
  2. Диффузионная металлизация стали
  3. Емкость пустот пород. Пористость.
  4. Емкость рынка
  5. Как изменится емкость шара , если уменьшить его радиус в 2 раза?
  6. Как изменится жизненная емкость легких у курильщиков?
  7. Количество теплоты. Теплоемкость газа. Работа газа при изменении его объема.
  8. Конденсаторы и их электроемкость. Последовательное и параллельное соединение конденсаторов.
  9. Объект регулирования и его основные свойства (емкость, нагрузка, самовыравнивание, запаздывание)

В (1.3) было дано понятие барьерной емкости, которая определяется изменением связвнного заряда ионизированных доноров и акцепторов в обедненной области. Аналогичным образом, изменение накопленного заряда неосновных носителей в областях, прилегающих к ОПЗ, при прямом смещении может быть смоделировано с помощью другой малосигнальной емкости. Эта емкость обычно называется диффузионной емкостью CD, так как в случае идеального диода неосновные носители двигаются через квазинейтральную область вследствие диффузии. Следовательно,

C0 = dQ/dU,

где Q — заряд, накопленный в квазинейтральных областях,

. (1.49)

Если рассматриваем р+-n переход с длинной базой, то

Dpn>>Dnp и WБ>> Lp и накопленный заряд в базе QБ

(1.50)

Подставляя в(1.50) значение Dpn(x) = pn(x) – pn0 из(1.29), получим

;

(1.51)

Умножим и поделим правую часть выражения (1.51) на tp:

(1.52)

Полагая, что для р+-n перехода и что I >> Isp, получим выражение для диффузионной емкости диода с длинной базой

(1.53)

Видно, что емкость пропорциональна величине тока и времени жизни неосновных носителей в базе.

Значение диффузионной емкости диода с тонкой базой получим, анализируя распределение концентрации неосновных носителей в n-базе (рис.1.10)

 

Рисунок 1.10– Распределение концентрации неосновных носитетей в тонкой n-базе при прямом смещении р+-n-перехода

Как и для предыдущего случая, полагаем, что Dpn(x) >>Dnp(x), и тогда

QБ = QБ0A (1.54)

где QБ0 = q Dnp(x) WБ/2 — удельный заряд носителей, накопленных в базе.

Так какмы полагаем, что ток чисто диффузионный и I » Ip, то

(1.55)

Выражая из(1.55)Dpn(x) и подставляя его значение в (1.54), получим

(1.56)

Зная, что , для СD получим

(1.57)

где tпp = WБ2/2Dp — время пролета неосновных носителей через базу при отсутствии в нем электрического поля (или среднее время диффузии).


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 9; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.005 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты