P-n переход с тонкой базой

Так как W_Б<< L_p , W_Э<< L_n,тоcthW_Б / L_p» L_p / W_Б, а cth W_Э / L_n» L_n /W_Э

Выражение для плотности тока насыщения.

.

(1.39)

Т.е. выражение сохраняется, но

(1.40)

На рис.1.7приведены ВAХ р-n-переходов с "длинной" и тонкой базами.

Прямые ветви практически идентичны, но обратная ветвь на рис.1.7, б не имеет насыщения. Это можно объяснить, анализируя график распределения неосновных носителей в базе приизмененииобратного напряжения (риc.1.8).

Для U_обр1 ширина ОПЗ – x_d1 , а для U_обр2 – x_d2, причем |U_обр2|> |U_обр1| . Так как угол 2 больше угла 1, то grad (Р_n2) > grаd (Р_n1) и J_P2>J_P1.

Рисунок 1.7– ВАХ р-n-перехода: а — с "длинной базой"; б — с тонкой базой

Рисунок 1.8– Влияние величины обратного напряжения на распределение концентрации неосновных носителей в тонкой базе