Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



P-n переход с тонкой базой

Читайте также:
  1. I. Переход
  2. В условиях перехода к нэпу. Поворот в национальной политике
  3. Включение p-n-перехода в обратном направлении
  4. Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода
  5. Вопрос 66 . Переходная экономика
  6. Вызовы перехода
  7. Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ р-n-переходов
  8. ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД.
  9. Глава 10. ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Так как WБ<< Lp , WЭ<< Ln,тоcthWБ / Lp» Lp / WБ, а cth WЭ / Ln» Ln /WЭ

Выражение для плотности тока насыщения.

. (1.39)

Т.е. выражение сохраняется, но

(1.40)

На рис.1.7приведены ВAХ р-n-переходов с "длинной" и тонкой базами.

Прямые ветви практически идентичны, но обратная ветвь на рис.1.7, б не имеет насыщения. Это можно объяснить, анализируя график распределения неосновных носителей в базе приизмененииобратного напряжения (риc.1.8).

Для Uобр1 ширина ОПЗ – xd1 , а для Uобр2 – xd2, причем |Uобр2|> |Uобр1| . Так как угол 2 больше угла 1, то grad (Рn2) > grаd (Рn1) и JP2>JP1.

 

Рисунок 1.7– ВАХ р-n-перехода: а — с "длинной базой"; б — с тонкой базой

 

Рисунок 1.8– Влияние величины обратного напряжения на распределение концентрации неосновных носителей в тонкой базе

 


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 19; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Общий случай | Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ р-n-переходов
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2019 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты