Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Общий случай




Читайте также:
  1. IV.4.3) Общий ход формулярного процесса.
  2. А) Ряд, многоугольник и функция распределения случайной дискретной величины
  3. А) Ряд, многоугольник и функция распределения случайной дискретной величины
  4. А) Ряд, многоугольник и функция распределения случайной дискретной величины
  5. Б) Функция распределения и плотность вероятности непрерывной случайной величины
  6. Билет №1. Дискретная случайная величина, закон и функция распределения
  7. Билет №8. Закон распределения системы случайных величин. Функция и плотность двумерной случайной величины и их свойства.
  8. Вероятностная оценка случайной величины – наработки до второго отказа
  9. Вероятность попадания непрерывной случайной величины в заданный интервал.
  10. Вероятность попадания непрерывной случайной величины в заданный интервал.

Рассматривая р+-n-переход, запишем уравнение непрерывности для дырок в n-базе

(1.26)

где Gр и Rp — скорости генерации и рекомбинации дырок, соответственно.

Распределение концентрации дырок в n-базе находим при следующих допущениях:

1. Рассматривается одномерная модель р-n-перехода.

2. Все внешнее напряжение падает только на ОПЗ.

3. ОПЗ р-n-перехода бесконечно тонкая, а следовательно, в ней не происходит никаких физических процессов.

4. Отсутствует накопление неосновных носителей на омическом контакте базы, т.е. pк = p.

5. Учитывается только линейная рекомбинация, т.е. скорость рекомбинации прямо пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителейRр = (рn(х) – рn0) / tp = Dрn(х) / tр,где tp — время жизни дырок в базе.

6. Отсутствует наполнение неосновных носителей в базе на контакте, т.е. рn = рn0.

Выражение для инжектированных неосновных носителей в базу можно записать как:

pn(x)exp(jwt) = pn0 + Dpn(x) + pnexp(jwt), (1.27)

где Dpn(x) – избыточная концентрация неосновных носителей в базе.

Подставляя (1.27) в (1.26) и произведя ряд математических преобразований, которые опускаются в этом учебном пособии и которые подробно описаны в [1], получим:

pn(x)= pn0+ pn0 (exp )(ch x/Lp- ctg WБ/ Lp ·sh x/ Lp ) (1.28)

Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 9; Нарушение авторских прав





lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2022 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты