КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Общий случайРассматривая р+-n-переход, запишем уравнение непрерывности для дырок в n-базе
где Gр и Rp — скорости генерации и рекомбинации дырок, соответственно. Распределение концентрации дырок в n-базе находим при следующих допущениях: 1. Рассматривается одномерная модель р-n-перехода. 2. Все внешнее напряжение падает только на ОПЗ. 3. ОПЗ р-n-перехода бесконечно тонкая, а следовательно, в ней не происходит никаких физических процессов. 4. Отсутствует накопление неосновных носителей на омическом контакте базы, т.е. pк = pnо. 5. Учитывается только линейная рекомбинация, т.е. скорость рекомбинации прямо пропорциональна избыточной концентрации неосновных носителейRр = (рn(х) – рn0) / tp = Dрn(х) / tр,где tp — время жизни дырок в базе. 6. Отсутствует наполнение неосновных носителей в базе на контакте, т.е. рn = рn0. Выражение для инжектированных неосновных носителей в базу можно записать как:
где Dpn(x) – избыточная концентрация неосновных носителей в базе. Подставляя (1.27) в (1.26) и произведя ряд математических преобразований, которые опускаются в этом учебном пособии и которые подробно описаны в [1], получим:
|