Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Граничная концентрация неосновных носителей в базе

Читайте также:
  1. Будьте любезны, объясните такие понятия, как созерцание, концентрация и медитация.
  2. ВНЕШНЕПОЛИТИЧЕСКАЯ И ПОГРАНИЧНАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ
  3. Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ р-n-переходов
  4. Иррадиация, концентрация и индукция возбуждения и торможения
  5. Какой подход трактует происхождение сознания таким образом: «…сознание существует само по себе, независимо от его материальных носителей»?
  6. Концентрация
  7. Концентрация молекул газа на «нулевом уровне» с повышением температуры увеличивается
  8. Концентрация ресурсов во времени
  9. Концентрация усилий на единственном сегменте

Анализ работы активных элементов ИС (диод, биполярный транзистор) показывает, что их характеристики во многом определяются концентрацией и распределением неосновных носителей в базе. Другими словами, необходимо знать выражение для граничной концентрации неосновных носителей в базе и закон ее распределения.

Запишем уравнение полной плотности тока для дырок

. (1.22)

Учитывая, что E = – dj/dx, где j — электростатический потенциал вдоль образца, и что D = mkT/q, запишем(1.23)

(1.23)

Будем считать, что ток, плотность которого для дырок равна Jp, мал настолько, что справедливо неравенство: Jp << qDp×dp/dx.

Если отсчитывать потенциал относительно р-области (р-область "заземлена"), тo наличие внешнего смещения в прямом направлении приводит к повышению средней энергии электронов в n-области на величину qU. Поэтому, как показано на рис.1.3, б, высота потенциального барьера уменьшится и станет равна q(jk–U) .

Следовательно, выражение (1.23) можно записать

(1.24)

где pn(0) — концентрация дырок в n-области на границе перехода x = xn, т.е. pn (0) = pnгр.

Решая это уравнение и зная, что (см.(1.7),получим

Аналогично . (1.25)

При решении выражений(1.22) считали, что концентрации основных носителей вне области объемного заряда, при условии малости токов, практически равны равновесной. Величина напряжения U на р-n-переходе подставляется в(1.25) со знаком "+" при прямом смещении p-n-перехода и "–" при обратном.


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 20; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Электронно дырочный переход при нарушении равновесия | Общий случай
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2019 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты