Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Электронно дырочный переход при нарушении равновесия




Читайте также:
  1. I. Переход
  2. P-n переход с тонкой базой
  3. БЕЗОПАСНОСТЬ РАБОТЫ НА ПЕРСОНАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННО-ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИНАХ
  4. Билет. Условия равновесия совершенно-конкурентной фирмы в долгосрочном периоде.
  5. Бюджетные ограничения. Изменение покупательной способности потребителя. Условие потребительского равновесия
  6. В условиях перехода к нэпу. Поворот в национальной политике
  7. Величины ∆G , ∆F, ∆μ (и все их вариации), характеризующие меру отклонения системы от равновесия, называются движущей силой кристаллизации.
  8. Взаимодействие средств, применяемых при нарушении мозгового кровообращения, с другими лекарственными средствами
  9. Взаимосвязь между различными константами равновесия.
  10. Виды отклонений от рыночного равновесия. Причины возникновения. Виды восстановления рыночного равновесия

Eсли приложить к р-n-переходу прямое внешнее напряжение c полярностью "+" на р-область и "–" на n-область, то, как видно из рис.1.3, суммарное электрическое поле, приложенное к ОПЗ р-n-перехода,уменьшится

< .

В результате влияния внешнего поля изменятся характеристики р-n-перехода: во-первых, ширина ОПЗ уменьшится до величины xd, а, следовательно, увеличится барьерная емкость р-n-перехода; во-вторых уменьшится высота потенциального барьера на величину qU. Уменьшение высоты потенциального барьера приведет к тому, что наиболее высокоэнергетические электроны в n-области перехода и дырки в р-области в силу уменьшения поля, противодействующего диффузии, смогут диффундировать в соседние области, т.о. начнется процесс инжекции (инжекция — введение свободных носителей заряда в область полупроводника, где они являются неосновными, через потенциальный барьер при уменьшении его величины внешним электрическим полем).

Введем понятие коэффициента инжекции g — это отношение потока носителей из наиболее легированной области р-n-перехода к общему потоку носителей через р-n-переход.

(1.20)

Jn и Jp— плотности электронного и дырочного тока, соответственно.

При подачена р-n-переход обратного напряжения ("–" на р-область и "+" на n-область) суммарное поле, приложенное к ОПЗ, увеличивается: ES=(Eдиф+E)>Eдиф (рис.1.4), что, соответственно приведет: во-первых, к увеличению ширины ОП3, а значит, к уменьшению величины Сj; во-вторых, к увеличению высоты потенциального барьера.

Если предположить, что ОПЗ бесконечно тонкая (идеализированный случай), и игнорировать все процессы, которые могут в ней происходить, то ток в р-n-переходе будет обусловлен тепловой генерацией носителей в областях, прилегающих к р-n-переходу, иих экстрагированием в соседние области.

Рисунок 1.3–p-n-переход при подаче прямого смещения

а — изменение ширины обедненного слоя;

б — изменение высоты потенциального барьера.

Ток экстракции (ток насыщения, тепловой ток) — выведение неосновных носителей заряда в соседние области р-n-перехода, где они являются основными.

Ширина ОПЗ и величина барьерной емкости р-n-перехода при U¹ 0 изменяются по закону



, (1.21)

где n = 1/2 для резкого и n = 1/3 для плавного переходов, U — напряжение, поданное на р-n с учетом знака.

Рисунок 1.4 – Электронно дырочный переход при подаче обратного смещения

а — изменение ширины обедненного слоя;

б — изменение высоты потенциального барьера.


Дата добавления: 2014-11-13; просмотров: 21; Нарушение авторских прав







lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2021 год. (0.009 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты