Основные характеристики полевых транзисторов.

1). Крутизна характеристики 2). Крутизна характеристики по подложке

3). Начальный ток стока I_{c нач} – ток стока при нулевом напряжении U_ЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом I_{с нач} = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом I_{с нач} = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом I_{с нач} = 0,01 – 0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки U_{ЗИ отс} (U_{ЗИ отс} = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение U_{ЗИ пор} (U_{ЗИ пор} = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии R_{си отк} (R_{си отк} = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока I_{c max} I_{c max} от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока I_{c ост} – ток стока при напряжении U_{ЗИ отс} I_{c ост} = 0,001 – 10 мА).

9). Максимальная частота усиления f_p – частота, на которой коэффициент усиления по мощности К_ур равен единице (f_p – десятки - сотни МГц).

16. ИМС: маркировка, обозначение. Полупроводниковые, гибридные, аналоговые, цифровые ИМС

Интегральная микросхема (ИМС) — микроэлектронное изделие, вы­полняющее определенные функции преобразования, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.

Обозначение интегральных микросхем состоит из следующих элементов: первый элемент — цифра, указывающая группу микросхемы; второй элемент — две цифры — порядковый номер разработки серии (0 до 99); третий элемент — две буквы — подгруппа и вид микросхемы; четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхемы в данной серии. Для микросхем широкого применения в начале обозначения ставится буква К.

После обозначения порядкового номера разработки серии микросхемы может стоять буква русского алфавита или цветная точка, указывающая на различие электрических параметров. Конкретные значения электрических параметров и цвет маркировочной точки даются в технической документации на микросхемы.

В полупроводниковых ИМС все элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы и т. д.) выполнены на основе одного кристалла полупроводникового материала, так называ­емой активной подложки (обычно монокристалл кремния).

В гибридных ИМС пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы (диоды, транзисторы и т. д.) являются навесными.

Аналоговые микросхемы применяют для усиления, генерирования и преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Они используются в качестве усилителей низкой и высокой частоты, смесителей, детекторов, генераторов и т. д.

Цифровые микросхемы предназначены, для обработки электрических сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Такие микросхемы используются в системах автоматики и электронно-вычислительных машинах.