Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника



Основные характеристики, h-параметры биполярных транзисторов (для схемы с ОЭ)

Читайте также:
  1. H-параметры биполярного транзистора
  2. I. Вспомните основные модальные глаголы и их эквиваленты. Чем они отличаются? Как спрягаются? (Заполните табличку).
  3. I. Основные положения
  4. I. Основные термины и определения
  5. I. Функции государства — это основные направления его деятельности, в которых выражаются сущность и социальное назначение государства в обществе.
  6. II. Основные параметры магнитного поля.
  7. II. Основные правила черной риторики
  8. II. Основные принципы и правила служебного поведения государственных гражданских служащих Федеральной налоговой службы
  9. II. Основные цели и задачи Программы, срок и этапы ее реализации, целевые индикаторы и показатели
  10. II. Основные цели, задачи и сроки реализации Программы

При любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырех­полюсника (рис.1), на входе которого действует напряжение и1 и протекает ток i1. а на выходе — напряжение и2 и ток i2. Для транзисторов чаще всего используются h-параметры, так как они наиболее удобны для измерений. Система уравнений, показывающая связь напряжений и токов с

Рис.1

h-параметрами, имеет вид:

u1 = h11 h12 = i1
i2 h21 h22 u2

Физический смысл соответствующих коэффициентов следу­ющий: h11 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; h12 коэффициент обратнойсвязи по напряжению; h21 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе; h22 – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

Для схем с ОЭ (рис.2) h-параметры будут равны:

 

h11э ≈ r'б + rэ диф(β + 1);

h21э ≈ β · ≈ β;

h12э ≈ (β + 1) · ;

h22э · (β + 1) = .

 

Рис.2


Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 17; Нарушение авторских прав


<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Схемы включения с ОБ, ОЭ, ОК , их сравнительный анализ | Основные параметры биполярных транзисторов
lektsii.com - Лекции.Ком - 2014-2018 год. (0.007 сек.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав
Главная страница Случайная страница Контакты