![]() КАТЕГОРИИ:
АстрономияБиологияГеографияДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.
а) выходные; б) входная; в) стокозатворная.
Основные параметры полевых транзисторов.
3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 – 0,5 мкА. 4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В). 5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В). 6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом). 7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А). 8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА). 9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц). Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным и с индуцированным каналом. МДП, МОП, МНОП- транзисторы. Структура, принцип работы. Стокозатворные и выходные характеристики. Основные параметры МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) могут быть двух типов: транзисторы со встроенными каналами (канал создается при изготовлении) и транзисторы с индуцированными каналами (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).
а – планарный транзистор с индуцированным каналом; б – планарный транзистор со встроенным каналом.
|