Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

а) выходные;

б) входная;

в) стокозатворная.

Основные параметры полевых транзисторов.

1). Крутизна характеристики 2). Крутизна характеристики по подложке

3). Начальный ток стока I_{c нач} – ток стока при нулевом напряжении U_ЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом I_{с нач} = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом I_{с нач} = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом I_{с нач} = 0,01 – 0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки U_{ЗИ отс} (U_{ЗИ отс} = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение U_{ЗИ пор} (U_{ЗИ пор} = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии R_{си отк} (R_{си отк} = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока I_{c max} I_{c max} от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока I_{c ост} – ток стока при напряжении U_{ЗИ отс} I_{c ост} = 0,001 – 10 мА).

9). Максимальная частота усиления f_p – частота, на которой коэффициент усиления по мощности К_ур равен единице (f_p – десятки - сотни МГц).

Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным и с индуцированным каналом. МДП, МОП, МНОП- транзисторы. Структура, принцип работы. Стокозатворные и выходные характеристики. Основные параметры

МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник) могут быть двух типов: транзисторы со встроенными каналами (канал создается при изготовлении) и транзисторы с индуцированными каналами (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).

Транзисторы первого типа могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогаще­ния. Транзисторы второго типа можно использовать только в режиме обогащения. У МДП-транзисторов в отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, на котором выполнен прибор (рис.1), называемый подложкой.

а – планарный транзистор с индуцированным каналом;

б – планарный транзистор со встроенным каналом.