Пример решения задачи № 3

На рис. 5 представлена принципиальная электрическая схема однокаскадного полупроводникового усилителя напряжения, реализованная на биполярном транзисторе, КТ503Г типа n-p-n обратной проводимости, включённого по схеме с ОЭ.

Рассчитать все элементы схемы для максимального усиления выходного переменного напряжения и максимально возможной колебательной выходной мощности, а также коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, потребляемую мощность в режиме покоя (отсутствия входного переменного сигнала) и кпд усилителя.

Исследовать изменение указанных выше усилительных свойств усилителя при изменении коллекторного сопротивления.

Для исследования усилительных свойств данного БТ требуются входные и выходные статические характеристики именно данного биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n, которые можно получить в лабораторных условиях, либо воспользоваться изданными справочниками на биполярные транзисторы с обязательным наличием входных и выходных статических характеристик и многочисленных параметров на транзисторы. Подготовка к исследованиям начинается с расчёта режима транзистора по постоянному току с использованием статических характеристик для задания смещения и расчёта сопротивлений по (рис. 4) и построения в их семействах динамических характеристик для исследования усилительных свойств БТ с ОЭ по рис. 5.

Экспериментальные данные биполярного транзистора КТ503Г типа n-p-n , полученные в лабораторных условиях в статическом режиме БТ по схеме на рис. 1 приведены в табл. 1 и табл. 2. В соответствии с табличными данными на рис. 2 построены соответственно входные и выходные статические характеристики (далее излагается построение здесь же динамических характеристик).

Рис. 1 Схема для снятия статических характеристик БТ

Таблица 1

Таблица 2

Рис. 2